| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 符号对照表 | 第12-13页 |
| 缩略语对照表 | 第13-17页 |
| 第一章 绪论 | 第17-25页 |
| 1.1 纳米时代CMOS器件解决方案 | 第17-20页 |
| 1.1.1 新材料制备 | 第18页 |
| 1.1.2 新器件结构 | 第18-20页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第20-22页 |
| 1.3 本文主要工作 | 第22-25页 |
| 第二章 SOI器件与SRAM电路的单粒子效应 | 第25-31页 |
| 2.1 辐射环境 | 第25-26页 |
| 2.2 单粒子效应对电路的影响 | 第26-27页 |
| 2.3 纳米器件的单粒子效应 | 第27-29页 |
| 2.4 本章小结 | 第29-31页 |
| 第三章 FINFET器件单粒子效应仿真 | 第31-43页 |
| 3.1 器件建模软件介绍 | 第31-34页 |
| 3.1.1 仿真用主要模块介绍 | 第32页 |
| 3.1.2 ISE TCAD支持的物理模型 | 第32-34页 |
| 3.2 FINFET器件模型的建立 | 第34-36页 |
| 3.3 不同入射因素对器件漏端电流的影响 | 第36-42页 |
| 3.3.1 不同漏端偏置电压 | 第37-38页 |
| 3.3.2 不同LET值 | 第38-39页 |
| 3.3.3 不同入射位置 | 第39-42页 |
| 3.4 本章小结 | 第42-43页 |
| 第四章 SRAM单元和加固电路抗单粒子翻转能力仿真 | 第43-65页 |
| 4.1 SRAM单元电路级、器件级和混合级仿真原理 | 第43-45页 |
| 4.2 混合级仿真选用的NMOS器件建模 | 第45-47页 |
| 4.3 SRAM单粒子效应仿真结果与分析 | 第47-55页 |
| 4.3.1 不同因素下SRAM单粒子效应模拟 | 第47-52页 |
| 4.3.2 混合级仿真和电路级仿真结果比较 | 第52-53页 |
| 4.3.3 总剂量和单粒子耦合效应的混合级仿真 | 第53-55页 |
| 4.4 SRAM单元单粒子效应关键参数 | 第55-57页 |
| 4.4.1 翻转阈值 | 第55-56页 |
| 4.4.2 临界电荷 | 第56-57页 |
| 4.5 典型SRAM加固电路抗单粒子效应能力仿真 | 第57-63页 |
| 4.6 本章小结 | 第63-65页 |
| 第五章 结论和展望 | 第65-67页 |
| 5.1 研究结论 | 第65页 |
| 5.2 研究展望 | 第65-67页 |
| 参考文献 | 第67-71页 |
| 致谢 | 第71-73页 |
| 作者简介 | 第73-74页 |