| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第10-26页 |
| 1.1 课题背景及研究目的 | 第10-14页 |
| 1.2 国内外研究现状及分析 | 第14-25页 |
| 1.2.1 多孔阳极氧化铝模板 | 第14-16页 |
| 1.2.2 电沉积法原理简介 | 第16-18页 |
| 1.2.3 电沉积法影响因素 | 第18-22页 |
| 1.2.4 纳米Cu柱阵列填充阳极氧化铝基板的应用 | 第22-24页 |
| 1.2.5 国内外研究现状小结 | 第24-25页 |
| 1.3 本文的主要研究内容 | 第25-26页 |
| 第2章 实验材料与方法 | 第26-33页 |
| 2.1 实验过程及概述 | 第26-27页 |
| 2.2 实验材料及设备 | 第27-29页 |
| 2.2.1 实验材料 | 第27页 |
| 2.2.2 实验设备 | 第27-29页 |
| 2.3 实验表征手段 | 第29-33页 |
| 2.3.1 物相表征 | 第29页 |
| 2.3.2 形貌观察和成分分析 | 第29-30页 |
| 2.3.3 动态纳米压痕测试 | 第30-31页 |
| 2.3.4 热学性能参数的测量 | 第31-33页 |
| 第3章 直流电沉积制备纳米Cu阵列填充AAO基板 | 第33-50页 |
| 3.1 多孔有序氧化铝基板的表征及性能分析 | 第33-35页 |
| 3.2 直流电沉积下纳米Cu柱阵列生长行为研究 | 第35-49页 |
| 3.2.1 电沉积理论计算 | 第35-38页 |
| 3.2.2 电沉积液成分对Cu柱生长的影响 | 第38-39页 |
| 3.2.3 电流密度对Cu柱阵列生长的影响 | 第39-45页 |
| 3.2.4 电沉积时间对Cu阵列生长的影响 | 第45-47页 |
| 3.2.5 电沉积液温度对基板制备的影响 | 第47-49页 |
| 3.3 本章小结 | 第49-50页 |
| 第4章 脉冲电沉积制备纳米Cu阵列填充AAO基板 | 第50-70页 |
| 4.1 脉冲电沉积简介 | 第50-51页 |
| 4.2 不同脉冲电沉积模式下纳米Cu柱生长情况 | 第51-64页 |
| 4.2.1 周期性脉冲电沉积25s/5s模式 | 第51页 |
| 4.2.2 周期性脉冲电沉积20s/10s模式 | 第51-53页 |
| 4.2.3 周期性脉冲电沉积30s/15s模式 | 第53-57页 |
| 4.2.4 周期性脉冲电沉积20s/20s模式 | 第57-60页 |
| 4.2.5 周期性脉冲电沉积20ms/20ms模式 | 第60-63页 |
| 4.2.6 周期性脉冲电沉积10ms/30ms模式 | 第63-64页 |
| 4.3 周期性脉冲电沉积各种模式的比较 | 第64-68页 |
| 4.3.1 频率相同占空比不同的比较 | 第65-66页 |
| 4.3.2 占空比相同频率不同的比较 | 第66-67页 |
| 4.3.3 不同脉冲电沉积模式下纳米Cu柱阵列相结构比较 | 第67-68页 |
| 4.4 本章小结 | 第68-70页 |
| 第5章 电沉积机理及基板互连 | 第70-86页 |
| 5.1 电沉积制备纳米Cu柱阵列生长机理研究 | 第70-78页 |
| 5.1.1 直流电沉积和脉冲电沉积的比较 | 第70-71页 |
| 5.1.2 纳米Cu柱阵列生长行为分析 | 第71-78页 |
| 5.2 纳米Cu柱阵列填充AAO基板性能测试 | 第78-81页 |
| 5.2.1 显微力学性能测试 | 第78-79页 |
| 5.2.2 电性能测试 | 第79-80页 |
| 5.2.3 热学行为分析 | 第80-81页 |
| 5.2.4 氧化行为分析 | 第81页 |
| 5.3 纳米Cu柱阵列填充AAO基板应用于互连 | 第81-85页 |
| 5.3.1 与铜块的直接互连 | 第82-83页 |
| 5.3.2 与铜块的间接互连 | 第83-85页 |
| 5.4 本章小结 | 第85-86页 |
| 结论 | 第86-87页 |
| 参考文献 | 第87-92页 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术论文 | 第92-94页 |
| 致谢 | 第94页 |
