首页--工业技术论文--无线电电子学、电信技术论文--半导体技术论文--一般性问题论文--半导体器件制造工艺及设备论文--光刻、掩膜论文

多探针广域表面形貌测量方法及探针制备

摘要第4-6页
Abstract第6-7页
1 绪论第10-19页
    1.1 研究背景及意义第10-11页
    1.2 光刻胶涂布方法及涂覆特点第11-13页
    1.3 表面形貌测量技术概述第13-15页
        1.3.1 接触式测量法第13-14页
        1.3.2 非接触式测量法第14-15页
    1.4 探针的发展及应用第15-18页
    1.5 研究目的及组织结构第18-19页
2 广域光-接触多探针测量方法第19-32页
    2.1 AFM测量原理第19-21页
    2.2 广域光-接触多探针测量原理第21-24页
    2.3 广域光-接触多探针测量系统组成第24-28页
        2.3.1 光学测量部分第26页
        2.3.2 接触多探针第26-27页
        2.3.3 辅助装置第27-28页
    2.4 光-接触多探针测量方法的测量实验第28-31页
        2.4.1 标准刻槽测量实验第29-30页
        2.4.2 半透明薄膜测量实验第30-31页
    2.5 本章小结第31-32页
3 误差分离法在多探针广域表面形貌测量中的应用第32-41页
    3.1 误差分离技术第32页
    3.2 数学模型的建立第32-36页
        3.2.1 多探针扫描方法原理第33页
        3.2.2 数据处理第33-36页
    3.3 应用实例第36-40页
    3.4 本章小结第40-41页
4 独立多探针的制备第41-58页
    4.1 探针的尺寸设计第42-45页
        4.1.1 硅片厚度第42页
        4.1.2 反光层材质及厚度第42页
        4.1.3 探针的材质、形状和尺寸第42-43页
        4.1.4 弹性膜的材质、厚度及尺寸第43-45页
    4.2 实验材料与设备第45页
    4.3 探针的制备工艺第45-54页
        4.3.1 氧化第47页
        4.3.2 光刻第47-50页
        4.3.3 湿法腐蚀第50-53页
        4.3.4 溅射第53-54页
        4.3.5 PECVD第54页
    4.4 探针参数测量第54-57页
    4.5 本章小结第57-58页
5 结论与展望第58-60页
    5.1 结论第58页
    5.2 展望第58-60页
参考文献第60-64页
攻读硕士学位期间发表学术论文情况第64-65页
致谢第65-66页

论文共66页,点击 下载论文
上一篇:基于模糊神经网络的晶圆清洗机过滤器建模
下一篇:基于FPGA镆拟的SAT求解方法