| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5页 |
| 1 绪论 | 第13-25页 |
| 1.1 RFID 概述 | 第14-20页 |
| 1.1.1 RFID 的历史演变 | 第14-15页 |
| 1.1.2 RFID 的应用前景 | 第15页 |
| 1.1.3 RFID 的分类 | 第15-16页 |
| 1.1.4 RFID 系统的组成 | 第16-18页 |
| 1.1.5 RFID 系统的工作原理 | 第18-20页 |
| 1.2 RFID 电容概述 | 第20-24页 |
| 1.2.1 RFID 电容结构及分类 | 第20-21页 |
| 1.2.2 RFID MIM 电容工艺简介 | 第21-22页 |
| 1.2.3 RFID MIM 电容的发展趋势 | 第22-24页 |
| 1.3 本文研究的目的与内容 | 第24-25页 |
| 2 0.13μM 高密度MIM 电容设计需求分析 | 第25-34页 |
| 2.1 实验方案设计 | 第25-28页 |
| 2.1.1 基于传统绝缘介质的MIM 电容实验方案 | 第25-26页 |
| 2.1.2 基于high K 绝缘介质的MIM 电容实验方案 | 第26-27页 |
| 2.1.3 基于传统绝缘介质的立体结构MIM 电容实验方案 | 第27-28页 |
| 2.2 实验设备与测试仪器 | 第28-32页 |
| 2.2.1 工艺设备介绍 | 第28-31页 |
| 2.2.2 测试设备与方法 | 第31-32页 |
| 2.3 实验结果评价标准 | 第32-34页 |
| 3 基于传统绝缘介质的MIM 电容实验方案 | 第34-40页 |
| 3.1 引言 | 第34页 |
| 3.2 PESiO_2 绝缘介质MIM 电容研究 | 第34-36页 |
| 3.2.1 实验方法 | 第34页 |
| 3.2.2 实验结果与分析 | 第34-36页 |
| 3.3 ALD SiO_2/SIN 组合绝缘介质MIM 电容研究 | 第36-39页 |
| 3.3.1 实验方法 | 第36页 |
| 3.3.2 实验结果与分析 | 第36-39页 |
| 3.4 小结 | 第39-40页 |
| 4 基于HIGH K 材料绝缘介质的MIM 电容研究 | 第40-51页 |
| 4.1 引言 | 第40-41页 |
| 4.2 HIGH AL_2O_3和SiO_2 组合绝缘介质MIM 电容的研究 | 第41-43页 |
| 4.2.1 实验方法 | 第41页 |
| 4.2.2 实验结果与分析 | 第41-43页 |
| 4.3 HIGH K AL_2O_3和SiO_2 改进组合MIM 电容研究 | 第43-49页 |
| 4.3.1 实验方法 | 第43页 |
| 4.3.2 实验结果与分析 | 第43-49页 |
| 4.4 小结 | 第49-51页 |
| 5 基于传统绝缘介质材料的立体MIM 电容研究 | 第51-55页 |
| 5.1 引言 | 第51页 |
| 5.2 SiN／SiO_2组和绝缘介质立体MIM 电容的研究 | 第51-54页 |
| 5.2.1 实验方法 | 第51-52页 |
| 5.2.2 实验结果与分析 | 第52-54页 |
| 5.3 小结 | 第54-55页 |
| 6 本论文的总结与展望 | 第55-57页 |
| 6.1 本论文的总结 | 第55-56页 |
| 6.2 未来工作展望 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-59页 |
| 致谢 | 第59-60页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文 | 第60页 |
