0.13um CMOS逻辑器件的90%微缩及其铝互联的可靠性研究
| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第14-22页 |
| 1.1 集成电路的发展 | 第14-16页 |
| 1.2 半节点微缩工艺的意义 | 第16-17页 |
| 1.3 超深亚微米的铝线互连的电迁移 | 第17-22页 |
| 1.3.1 铝线互联的工艺步骤和电迁移失效原因 | 第18-19页 |
| 1.3.2 电迁移的失效机理和影响因素 | 第19-22页 |
| 第二章 微缩方式及验证实验 | 第22-40页 |
| 2.1 微缩方式 | 第22-29页 |
| 2.1.1 微缩方式的制定 | 第22-24页 |
| 2.1.2 各组件的微缩方式 | 第24-25页 |
| 2.1.3 微缩版图的生成流程 | 第25-29页 |
| 2.2 光刻工艺的裕度验证 | 第29-39页 |
| 2.2.1 微缩后有源区层的光刻裕度验证 | 第30-34页 |
| 2.2.2 微缩后栅极层的光刻裕度验证 | 第34-37页 |
| 2.2.3 前后段连接层的光刻裕度验证 | 第37-38页 |
| 2.2.4 其他层的光刻裕度以及结论 | 第38-39页 |
| 2.3 本章小结 | 第39-40页 |
| 第三章 工艺调整实现稳定量产 | 第40-53页 |
| 3.1 微缩后的离子注入调整 | 第40-42页 |
| 3.2 光学近似修正规则的调整 | 第42-51页 |
| 3.2.1 恶化验证实验 | 第44-48页 |
| 3.2.2 OPC修正实验 | 第48-51页 |
| 3.3 本章小结 | 第51-53页 |
| 第四章 微缩后铝线电迁移失效的改善 | 第53-67页 |
| 4.1 铝线互联电迁移失效分析 | 第53-55页 |
| 4.2 电迁移改善实验设计 | 第55-62页 |
| 4.2.1 程序优化实验 | 第56-62页 |
| 4.3 分组实验以及结论 | 第62-65页 |
| 4.4 本章小结 | 第65-67页 |
| 第五章 结束语 | 第67-70页 |
| 5.1 主要工作与创新点 | 第67-68页 |
| 5.2 后续研究工作 | 第68-70页 |
| 参考文献 | 第70-72页 |
| 致谢 | 第72-73页 |
| 攻读硕士学位期间已发表或录用的论文 | 第73-74页 |
| 上海交通大学硕士学位论文答辩决议书 | 第74页 |
