| 摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-6页 |
| 第一章 绪论 | 第6-9页 |
| ·论文的研究背景及意义 | 第6-7页 |
| ·智能手机基带芯片可靠性测试与失效分析的历史与现状 | 第7-8页 |
| ·本文研究的主要内容 | 第8-9页 |
| 第二章 基带芯片可靠性测试的数学模型 | 第9-15页 |
| ·可靠性相关的函数描述 | 第9-11页 |
| ·可靠性中常见的数学模型 | 第11-15页 |
| 第三章 基带芯片的可靠性测试 | 第15-28页 |
| ·早夭期-早期失效测试 | 第15-21页 |
| ·使用期常规可靠性测试 | 第21-27页 |
| ·常规可靠性测试结果分析 | 第27-28页 |
| 第四章 基带芯片的失效分析 | 第28-36页 |
| ·失效分析的方法与技术 | 第28-33页 |
| ·失效分析中的化学方法 | 第33-34页 |
| ·失效分析的流程 | 第34-36页 |
| 第五章 失效样本分析与良率提升 | 第36-45页 |
| ·WAT测试 | 第36-37页 |
| ·CP测试后的失效分析 | 第37-38页 |
| ·FT测试后的失效分析 | 第38-39页 |
| ·样本A的ESD失效分析 | 第39-41页 |
| ·样本B的失效分析 | 第41-43页 |
| ·失效分析小结与产品良率提升 | 第43-45页 |
| 结论 | 第45-47页 |
| 致谢 | 第47-48页 |
| 参考文献 | 第48-49页 |