铜引线热超声键合中硅基板应力状态的数值研究

摘要	第1-4页
Abstract	第4-8页
第1章 绪论	第8-24页
·课题背景和意义	第8-14页
·芯片封装技术	第8-9页
·引线热超声键合	第9-11页
·金引线键合的特点	第11-14页
·引线键合应力分析的国内外研究现状	第14-22页
·2D 有限元模型的构建	第15-19页
·3D 有限元模型的建立与分析	第19-22页
·主要研究内容	第22-24页
第2章 铜引线键合有限元模型的建立	第24-37页
·3D“热-力-超声”增量耦合有限元模型建立	第24-29页
·几何模型	第24-25页
·材料性能	第25-27页
·接触模型	第27页
·振动加载	第27-29页
·键合温度	第29页
·模型结果的试验验证	第29-33页
·试验设备	第29-31页
·试验参数	第31-32页
·结果验证	第32-33页
·键合温度参数对基板应力状态的影响	第33-36页
·本章小结	第36-37页
第3章 引线材料对硅基板内应力状态的影响	第37-51页
·有限元模型与材料性能	第37-38页
·不同引线材料对基板内应力状态的影响	第38-49页
·硅基板各应力分量分布结果	第38-39页
·不同引线条件下的硅基板内应力变化历史	第39-44页
·下压高度与应力集中位置的关系	第44-49页
·模拟结果的试验验证	第49-50页
·本章小结	第50-51页
第4章 镀层材料对硅基板内应力状态的影响	第51-62页
·镀层材料性能	第51-52页
·不同镀层材料对基板内应力状态的影响	第52-60页
·硅基板内应力分量分布	第52-56页
·不同镀层条件下的硅基板内应力变化历史	第56-59页
·下压高度与应力集中位置的关系	第59-60页
·本章小结	第60-62页
第5章 镀层厚度对硅基板应力状态的影响	第62-72页
·材料性能参数	第62-63页
·不同镀层厚度对基板内应力状态的影响	第63-69页
·硅基板内应力分量分布	第63页
·不同镀层厚度条件下的硅基板内应力变化历史	第63-67页
·下压高度与应力集中位置的关系	第67-69页
·本章小结	第69-72页
第6章 结论	第72-74页
参考文献	第74-79页
致谢	第79-80页
个人简历、在学期间发表的学术论文与研究成果	第80页