基于Haze缺陷降低的新型光掩膜清洗技术的工艺设定

摘要	第1-3页
ABSTRACT	第3-9页
1 绪论	第9-18页
·半导体技术现状及发展趋势	第9-10页
·光掩膜技术的现状及发展趋势	第10-11页
·光掩膜制造技术简介	第11-14页
·传统光掩膜清洗技术	第14-17页
·本章小结	第17-18页
2 光掩膜结晶生长及清洗良率降低原因分析	第18-26页
·光掩膜结晶生长及对晶圆生产的影响	第18-23页
·清洗良率降低的原因分析	第23-25页
·本章小结	第25-26页
3 新光掩膜清洗技术导入以解决结晶生长问题	第26-38页
·新清洗技术的工作原理	第26-28页
·型清晰技术导入制程导入的方法与结果分析	第28-36页
·完整清洗程序的清洗效果测定	第36页
·本章小结	第36-38页
4 新光掩膜清洗参数及流程优化以改善结晶生长问题	第38-45页
·新的清洗技术引入后所面临的问题	第38-39页
·改善的方法与结果分析	第39-43页
·批量生产良率验证	第43页
·本章小结	第43-45页
5 改进设备操作与维护方法以提高掩模版清洗良率	第45-51页
·清洗良率降低的机理分析	第45-46页
·改善的方法与结果分析	第46-49页
·优化成效评估	第49-50页
·本章小结	第50-51页
6 结论	第51-53页
·结论	第51-52页
·未来展望	第52-53页
参考文献	第53-55页
致谢	第55-56页
攻读学位期间发表的学术论文	第56-59页
答辩决议书	第59页