通孔刻蚀的检测技术研究
| 摘要 | 第1-7页 |
| ABSTRACT | 第7-14页 |
| 第一章 绪论 | 第14-24页 |
| ·半导体工艺的发展背景 | 第14-15页 |
| ·通孔刻蚀在半导体制造中的意义 | 第15-16页 |
| ·通孔刻蚀的背景 | 第16-20页 |
| ·通孔刻蚀检测的必要性及技术现状 | 第20-22页 |
| ·本课题的研究目的与主要内容 | 第22-24页 |
| 第二章 试验方法和设备 | 第24-31页 |
| ·实验材料 | 第24页 |
| ·实验设备 | 第24-29页 |
| ·实验方法 | 第29-31页 |
| ·实验路线图 | 第29-30页 |
| ·FIB 技术 | 第30页 |
| ·传统的检测技术 | 第30页 |
| ·电子束检测技术 | 第30-31页 |
| 第三章 传统的检测技术对通孔刻蚀不足现象的研究 | 第31-39页 |
| ·通孔刻蚀不足现象的产生 | 第31-33页 |
| ·通孔刻蚀不足现象的形成机理分析 | 第33-34页 |
| ·传统的检测技术对通孔刻蚀不完全的适用性 | 第34-38页 |
| ·小结 | 第38-39页 |
| 第四章 电子束检测技术对通孔刻蚀不足现象的研究 | 第39-45页 |
| ·电子束检测技术的原理 | 第39-42页 |
| ·电子束检测技术对通孔刻蚀不完全的适用性 | 第42-44页 |
| ·小结 | 第44-45页 |
| 第五章 新型检测技术的探索 | 第45-61页 |
| ·失效芯片所处晶圆片位置的分析 | 第45-46页 |
| ·API 技术的检测特点及其应用 | 第46-52页 |
| ·API 技术的检测特点 | 第46-47页 |
| ·API 技术的应用 | 第47-52页 |
| ·API 技术对通孔刻蚀不足缺陷的适用性 | 第52-60页 |
| ·API 程式的建立和调整 | 第53-56页 |
| ·检测计划的设定 | 第56页 |
| ·API 程式的试运行 | 第56-59页 |
| ·检测结果的确认 | 第59-60页 |
| ·应用于实际生产的可行性 | 第60页 |
| ·小结 | 第60-61页 |
| 第六章 通孔刻蚀工艺的优化 | 第61-66页 |
| ·通孔刻蚀不足缺陷对失效芯片的影响机理分析 | 第61-62页 |
| ·增加氧气流速对通孔刻蚀过程的影响 | 第62-65页 |
| ·小结 | 第65-66页 |
| 结论 | 第66-67页 |
| 参考文献 | 第67-69页 |
| 致谢 | 第69-70页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文目录 | 第70页 |
