| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 1 绪论 | 第9-20页 |
| ·课题背景及意义 | 第9-10页 |
| ·国内外研究状况 | 第10-18页 |
| ·研究思想及研究内容 | 第18-20页 |
| 2 阻挡层薄膜的制备及表征 | 第20-32页 |
| ·阻挡层薄膜制备方法 | 第20-25页 |
| ·原子层淀积的原理 | 第20-23页 |
| ·原子层淀积设备 | 第23-25页 |
| ·阻挡层薄膜特性表征方法 | 第25-30页 |
| ·薄膜厚度 | 第25-26页 |
| ·薄膜方块电阻和电阻率 | 第26-27页 |
| ·薄膜成分 | 第27-28页 |
| ·薄膜形貌 | 第28-29页 |
| ·薄膜晶型和微结构 | 第29-30页 |
| ·薄膜扩散阻挡特性分析 | 第30-31页 |
| ·本章小结 | 第31-32页 |
| 3 ALD TiN薄膜制备 | 第32-42页 |
| ·引言 | 第32-34页 |
| ·实验流程 | 第34页 |
| ·样品准备 | 第34页 |
| ·薄膜制备 | 第34页 |
| ·变周期实验 | 第34-38页 |
| ·淀积速率 | 第35页 |
| ·电阻率 | 第35-36页 |
| ·成分 | 第36页 |
| ·形貌 | 第36-38页 |
| ·变温实验 | 第38-41页 |
| ·ALD TiN机理研究 | 第38页 |
| ·淀积速率 | 第38-39页 |
| ·电阻率 | 第39页 |
| ·成分 | 第39-40页 |
| ·组织结构 | 第40-41页 |
| ·本章小结 | 第41-42页 |
| 4 ALD TiN薄膜扩散阻挡特性研究 | 第42-49页 |
| ·引言 | 第42-43页 |
| ·工艺流程 | 第43-44页 |
| ·Cu/TiN/SiO_2/Si体系反应特性机理研究 | 第44-48页 |
| ·SEM分析 | 第44-45页 |
| ·AES分析 | 第45-46页 |
| ·XRD分析 | 第46-47页 |
| ·电阻率分析 | 第47-48页 |
| ·本章小结 | 第48-49页 |
| 5 硅垂直互连工艺的实现 | 第49-65页 |
| ·掩模板设计 | 第49-50页 |
| ·工艺流程 | 第50-53页 |
| ·DRIE刻蚀分析 | 第53-56页 |
| ·刻蚀孔形貌 | 第54-56页 |
| ·刻蚀孔大小 | 第56页 |
| ·电镀填充TSV | 第56-64页 |
| ·大马士革电镀原理 | 第56-58页 |
| ·电镀工艺流程及镀液选择 | 第58-60页 |
| ·Cu/Ti/SiO_2/Si体系填充 | 第60-61页 |
| ·Cu/TiN/SiO_2/Si体系填充 | 第61-64页 |
| ·本章小结 | 第64-65页 |
| 结论 | 第65-66页 |
| 参考文献 | 第66-69页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第69-70页 |
| 致谢 | 第70-72页 |