SiC MOS界面特性的电导法研究

摘要	第1-5页
Abstract	第5-8页
1 绪论	第8-14页
·课题的研究背景及意义	第10-11页
·国内外发展状况	第11-13页
·论文的研究思想和研究内容	第13-14页
2 SiO_2/SiC界面及其评价方法	第14-27页
·金属/二氧化硅/碳化硅系统	第14页
·SiO_2/SiC界面存在的问题	第14-17页
·界面缺陷与沟道迁移率关系	第14-16页
·SiO_2/SiC界面态起源	第16-17页
·MOS界面表征理论及应用	第17-27页
·SiC MOS界面表征理论	第17-20页
·高低频(准静态)C-V测试	第20-23页
·边界陷阱密度的测量	第23-24页
·交流电导法	第24-27页
3 SiC MOS工艺	第27-37页
·衬底预处理	第27-28页
·氧化机理及工艺设计	第28-30页
·SiC热氧化机理研究	第28-29页
·SiC氧化温度及速率研究	第29页
·氧化工艺设计	第29-30页
·等离子体处理工艺	第30-35页
·等离子体系统装置	第30-35页
·处理条件设置	第35页
·电极制作工艺	第35-37页
4 SiC MOS界面的电导法研究	第37-51页
·SiC MOS电容特性分析	第37-42页
·SiC MOS电容的C-V特性	第37-41页
·SiC MOS电容的重要参数	第41-42页
·电导法基本理论	第42-44页
·电导法评价SiC MOS界面	第44-51页
结论	第51-52页
参考文献	第52-55页
攻读硕士学位期间发表学术论文情况	第55-56页
致谢	第56-58页