| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-17页 |
| ·研究背景 | 第10-11页 |
| ·研究现状 | 第11-16页 |
| ·无源集成技术研究现状 | 第11-12页 |
| ·薄膜阻容材料研究现状 | 第12-16页 |
| ·薄膜电阻材料 | 第12页 |
| ·薄膜电容介质材料 | 第12-13页 |
| ·薄膜电容底电极材料 | 第13-16页 |
| ·本论文的研究内容 | 第16-17页 |
| 第二章 实验方法与过程 | 第17-28页 |
| ·薄膜制备 | 第17-20页 |
| ·射频反应磁控溅射法沉积TaN 薄膜 | 第17-18页 |
| ·真空电阻蒸发电极薄膜 | 第18-19页 |
| ·PECVD 沉积SiNx 薄膜 | 第19-20页 |
| ·薄膜微图形化 | 第20-26页 |
| ·光刻工艺简介 | 第20-22页 |
| ·光刻技术 | 第22-23页 |
| ·刻蚀技术 | 第23-26页 |
| ·实验分析 | 第26-28页 |
| ·薄膜微结构分析与表征 | 第26-27页 |
| ·薄膜器件电学性能测试 | 第27-28页 |
| 第三章 SiNx薄膜MIM 电容器制备工艺研究 | 第28-50页 |
| ·SiNx 薄膜MIM 电容器的整体工艺流程 | 第28-29页 |
| ·SiNx 薄膜MIM 电容器底电极的制备与图形化 | 第29-37页 |
| ·基片的清洗 | 第29-31页 |
| ·底电极薄膜的制备 | 第31-34页 |
| ·底电极的图形化 | 第34-37页 |
| ·SiNx 介质薄膜的制备与图形化 | 第37-47页 |
| ·PECVD 沉积SiNx 介质薄膜 | 第38-40页 |
| ·工作气压对沉积速率的影响 | 第40-41页 |
| ·SiNx 介质薄膜的晶体结构 | 第41页 |
| ·SiNx 介质薄膜的湿法刻蚀 | 第41-43页 |
| ·SiNx 介质薄膜的干法刻蚀 | 第43-47页 |
| ·SF6 干刻氮化硅薄膜 | 第43-45页 |
| ·CHF3 干刻氮化硅薄膜 | 第45-47页 |
| ·SiNx 薄膜MIM 电容器顶电极的制备与图形化 | 第47-49页 |
| ·真空电阻蒸发Au/NiCr 顶电极薄膜 | 第47-48页 |
| ·Au/NiCr 顶电极薄膜光刻图形化 | 第48-49页 |
| ·本章小结 | 第49-50页 |
| 第四章 SiNx薄膜MIM 电容器的性能研究 | 第50-61页 |
| ·薄膜MIM 电容器结构等效分析 | 第50-51页 |
| ·SiNx 薄膜MIM 电容器的εr 和tanδ | 第51-55页 |
| ·不同基底上制备的MIM 电容器的εr 和tanδ | 第52-54页 |
| ·不同气压下制备的MIM 电容器的εr 和tanδ | 第54页 |
| ·不同SiNx 介质薄膜厚度的MIM 电容器的εr 和tanδ | 第54-55页 |
| ·SiNx 薄膜MIM 电容器的C-V 特性 | 第55-56页 |
| ·SiNx 薄膜MIM 电容器的频率特性 | 第56-58页 |
| ·SiNx 薄膜MIM 电容器的温度特性 | 第58-59页 |
| ·SiNx 薄膜MIM 电容器的漏电流特性 | 第59页 |
| ·本章小结 | 第59-61页 |
| 第五章 薄膜RC 滤波器网络制备与性能测试 | 第61-79页 |
| ·薄膜RC 滤波器网络结构设计 | 第61-63页 |
| ·薄膜RC 滤波器网络制备整体工艺流程 | 第63-65页 |
| ·薄膜RC 滤波器网络的制备 | 第65-73页 |
| ·TaN 薄膜电阻研究 | 第65-71页 |
| ·射频反应磁控溅射制备TaN 薄膜 | 第65-66页 |
| ·TaN 薄膜性能的测试方法 | 第66-67页 |
| ·溅射功率密度对TaN 薄膜电阻器TCR 的影响 | 第67-68页 |
| ·TaN 薄膜的图形化 | 第68-71页 |
| ·阻容网络薄膜集成 | 第71-72页 |
| ·Au 电极增厚 | 第72-73页 |
| ·薄膜RC 滤波器性能测试 | 第73-78页 |
| ·测试夹具设计 | 第73-74页 |
| ·测试方法与过程 | 第74-76页 |
| ·测试结果与分析 | 第76-78页 |
| ·本章小结 | 第78-79页 |
| 第六章 结论 | 第79-81页 |
| 致谢 | 第81-82页 |
| 参考文献 | 第82-86页 |
| 攻硕期间取得的研究成果 | 第86-87页 |
