HPM作用下CMOS反相器的扰乱机理研究
| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 符号对照表 | 第11-12页 |
| 缩略语 | 第12-15页 |
| 第一章 引言 | 第15-19页 |
| 1.1 论文背景及研究意义 | 第15-16页 |
| 1.2 国内外研究状况 | 第16-18页 |
| 1.3 论文的研究方法和主要内容 | 第18-19页 |
| 第二章 微电子器件HPM扰乱与损伤效应及机理 | 第19-31页 |
| 2.1 高功率微波效应概述 | 第19-23页 |
| 2.1.1 高功率微波源介绍 | 第19-20页 |
| 2.1.2 HPM破坏电子设备的物理基础 | 第20-21页 |
| 2.1.3 高功率微波损伤机理 | 第21-22页 |
| 2.1.4 高功率微波效应的表征 | 第22-23页 |
| 2.2 半导体器件HPM损伤机理 | 第23-27页 |
| 2.2.1 半导体器件的损伤阈值 | 第23-24页 |
| 2.2.2 常见的失效机理 | 第24-27页 |
| 2.3 典型器件的损伤机制 | 第27-30页 |
| 2.3.1 双极晶体管 | 第27-29页 |
| 2.3.2 MOSFET | 第29页 |
| 2.3.3 CMOS器件 | 第29-30页 |
| 2.4 本章小结 | 第30-31页 |
| 第三章 CMOS反相器的理论基础及模型建立 | 第31-49页 |
| 3.1 ISE-TCAD软件简介 | 第31-33页 |
| 3.2 CMOS反相器相关理论 | 第33-41页 |
| 3.2.1 MOSFET结构 | 第33-35页 |
| 3.2.2 CMOS反相器工作原理及特性 | 第35-41页 |
| 3.3 CMOS反相器的模型与参数选取 | 第41-45页 |
| 3.3.1 载流子产生与复合模型 | 第41-43页 |
| 3.3.2 迁移率模型 | 第43-44页 |
| 3.3.3 能带及电子亲和能模型 | 第44页 |
| 3.3.4 流体力学模型 | 第44-45页 |
| 3.3.5 边界条件和初始条件 | 第45页 |
| 3.4 CMOS反相器结构与杂质分布 | 第45-47页 |
| 3.5 本章小结 | 第47-49页 |
| 第四章 HPM作用下CMOS反相器的瞬态响应 | 第49-71页 |
| 4.1 CMOS反相器的静态工作特性 | 第49-50页 |
| 4.2 CMOS反相器HPM扰乱的仿真原理图 | 第50-52页 |
| 4.3 正弦波注入下的仿真结果分析 | 第52-59页 |
| 4.3.1 仿真结果及分析 | 第52-54页 |
| 4.3.2 不同电压幅值下的扰乱效应 | 第54-56页 |
| 4.3.3 不同信号频率对扰乱效应的影响 | 第56-59页 |
| 4.4 扰乱过程中的热效应 | 第59-62页 |
| 4.5 反相器工作状态与扰乱效应的关系 | 第62-65页 |
| 4.6 扰乱效应引起的器件损伤 | 第65-69页 |
| 4.6.1 高功率微波引起的直接损伤 | 第65-67页 |
| 4.6.2 扰乱引起的间接损伤 | 第67-69页 |
| 4.7 本章小结 | 第69-71页 |
| 第五章 总结与展望 | 第71-73页 |
| 参考文献 | 第73-77页 |
| 致谢 | 第77-79页 |
| 作者简介 | 第79-80页 |
