| 摘要 | 第4-7页 |
| Abstract | 第7-10页 |
| 第一章 绪论 | 第13-30页 |
| 1.1 多孔硅 | 第13-22页 |
| 1.1.1 多孔硅的制备方法 | 第13-17页 |
| 1.1.2 多孔硅的形成机理 | 第17-19页 |
| 1.1.3 多孔硅形貌调控 | 第19-20页 |
| 1.1.4 多孔硅的光致发光 | 第20-22页 |
| 1.2 离子注入技及其应用 | 第22-26页 |
| 1.2.1 离子注入技术简介 | 第22-23页 |
| 1.2.2 离子注入机简介 | 第23-24页 |
| 1.2.3 离子注入在半导体领域的应用 | 第24-26页 |
| 1.3 硅纳米孔柱阵列 | 第26-29页 |
| 1.3.1 硅纳米孔柱阵列的结构与表面形貌 | 第26页 |
| 1.3.2 硅纳米孔柱阵列的物理性能 | 第26-28页 |
| 1.3.3 硅纳米孔柱阵列的应用与形貌调控 | 第28-29页 |
| 1.4 开题思想 | 第29-30页 |
| 第二章 离子注入对制备硅微纳米形貌的影响 | 第30-42页 |
| 2.1 离子注入物相分析 | 第30-33页 |
| 2.2 化学水浴腐蚀法制备硅纳米结构 | 第33-37页 |
| 2.3 水热腐蚀法制备Si-NPA | 第37-40页 |
| 2.3.1 钛离子注入及注入剂量对Si-NPA表面形貌的影响 | 第38-39页 |
| 2.3.2 离子注入剂量及注入后退火对Si-NPA表面形貌的影响 | 第39-40页 |
| 2.4 本章小结 | 第40-42页 |
| 第三章 离子注入对硅纳米孔柱阵列光致发光特性的影响 | 第42-51页 |
| 3.1 钛离子注入剂量对Si-NPA光致发光特性的影响 | 第42-47页 |
| 3.2 注入后退火对Si-NPA光致发光特性的影响 | 第47-50页 |
| 3.3 本章小结 | 第50-51页 |
| 第四章 不同温度下硅纳米孔柱阵列的变化 | 第51-61页 |
| 4.1 加热时间对Si-NPA形貌的影响 | 第51-54页 |
| 4.2 冷却时间对Si-NPA形貌的影响 | 第54-56页 |
| 4.3 50℃下原始单晶硅片制备Si-NPA的演变 | 第56-58页 |
| 4.4 50℃下离子注入硅片制备Si-NPA的演变 | 第58-60页 |
| 4.5 本章小结 | 第60-61页 |
| 第五章 结论 | 第61-62页 |
| 参考文献 | 第62-68页 |
| 硕士期间完成的论文情况 | 第68-69页 |
| 致谢 | 第69页 |
