| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-8页 |
| 1. 引言 | 第11-30页 |
| 1.1 紫外探测技术的应用 | 第11-12页 |
| 1.2 紫外探测器研究进展 | 第12-16页 |
| 1.3 GaN的基本性质 | 第16-18页 |
| 1.4 GaN基紫外探测器的研究进展 | 第18-22页 |
| 1.5 GaN衬底的制备方法 | 第22-23页 |
| 1.6 GaN异质外延衬底材料的选择 | 第23-27页 |
| 1.7 本课题研究思路与内容 | 第27-30页 |
| 2 GaN/Si-NPA紫外探测器件的制备 | 第30-38页 |
| 2.1 硅纳米孔柱阵列（Si-NPA）制备及表征 | 第30-35页 |
| 2.1.1 sc-Si片的清洗 | 第30页 |
| 2.1.2 水热法制备Si-NPA衬底 | 第30-31页 |
| 2.1.3 Si-NPA的表面形貌表征 | 第31-33页 |
| 2.1.4 Si-NPA的光致发光特性 | 第33-35页 |
| 2.2 GaN/Si-NPA的制备 | 第35-36页 |
| 2.3 紫外探测原型器件构造 | 第36页 |
| 2.4 本章小结 | 第36-38页 |
| 3 GaN沉积温度对GaN/Si-NPA结构与性能的影响 | 第38-47页 |
| 3.1 不同沉积温度对GaN纳米结构XRD物相的影响 | 第38-41页 |
| 3.2 不同沉积温度对GaN纳米结构表面形貌的影响 | 第41-42页 |
| 3.3 ITO/GaN/Si-NPA/sc-Si/Ag原型器件的电输运性能 | 第42-44页 |
| 3.4 不同沉积温度对GaN/Si-NPA紫外探测性能的影响 | 第44-46页 |
| 3.5 本章小结 | 第46-47页 |
| 4 GaN沉积时间对GaN/Si-NPA结构与性能的影响 | 第47-58页 |
| 4.1 不同沉积时间对GaN纳米结构XRD物相的影响 | 第47-49页 |
| 4.2 不同沉积时间对GaN纳米结构表面形貌的影响 | 第49-50页 |
| 4.3 不同沉积时间对GaN/Si-NPA光致发光特性的影响 | 第50-52页 |
| 4.4 不同沉积时间对GaN/Si-NPA紫外探测性能的影响 | 第52-56页 |
| 4.4.2 光响应特性 | 第52-54页 |
| 4.4.3 响应恢复速度 | 第54-55页 |
| 4.4.4 衬底的蓝光响应测试 | 第55-56页 |
| 4.5 本章小结 | 第56-58页 |
| 5 氨气流量对GaN/Si-NPA结构与性能的影响 | 第58-64页 |
| 5.1 氨气流量对GaN/Si-NPA物相结构的影响 | 第58-59页 |
| 5.2 氨气流量对GaN/Si-NPA表面形貌的影响 | 第59-60页 |
| 5.3 氨气流量对GaN/Si-NPA紫外探测性能影响 | 第60-62页 |
| 5.4 GaN/Si-NPA光响应的能带分析 | 第62-63页 |
| 5.5 本章小结 | 第63-64页 |
| 6 结论与展望 | 第64-66页 |
| 参考文献 | 第66-72页 |
| 硕士期间完成的论文 | 第72-73页 |
| 致谢 | 第73页 |
