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10-40GHz集成电路在片测试平台设计

摘要第5-6页
Abstract第6页
第一章 绪论第9-15页
    1.1 课题的背景与意义第9-11页
    1.2 国内外研究现状第11-12页
    1.3 研究内容与设计指标第12-13页
    1.4 论文组织第13-15页
第二章 在片测试平台设计原理第15-29页
    2.1 在片测试平台组成第15-16页
    2.2 S参数在片校准技术分析第16-23页
    2.3 源功率校准技术第23-25页
    2.4 接收机功率校准技术第25-26页
    2.5 噪声系数测量方法第26-28页
    2.6 本章小结第28-29页
第三章 10-40GHz IC性能测试参数分析第29-39页
    3.1 待测电路类型分析第29-31页
    3.2 线性参数第31-36页
    3.3 非线性参数第36-38页
    3.4 噪声参数第38页
    3.5 本章小结第38-39页
第四章 10-40GHz IC在片测试平台方案设计第39-57页
    4.1 在片测试平台设计方案第39-40页
    4.2 多功能多参数在片测试子平台设计方案第40-41页
    4.3 脉冲功率在片测试子平台设计方案第41-43页
    4.4 测试平台硬件选择第43-46页
    4.5 测试附件选择第46-54页
    4.6 多功能驱动器设计第54-55页
    4.7 本章小结第55-57页
第五章 在片测试平台实现第57-69页
    5.1 多功能多参数在片测试子平台第57-60页
    5.2 脉冲功率在片测试子平台第60-66页
    5.3 在片测试平台的自动化设计第66-68页
    5.4 本章小结第68-69页
第六章 在片测试平台验证及分析第69-77页
    6.1 多功能多参数在片测试子平台验证第69-71页
    6.2 脉冲功率在片测试子平台验证第71-73页
    6.3 测试平台稳定性分析第73-76页
    6.4 本章小结第76-77页
第七章 总结与展望第77-79页
    7.1 总结第77页
    7.2 展望第77-79页
参考文献第79-82页
致谢第82-83页
攻读硕士期间发表的论文第83页

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