| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-7页 |
| 1 绪论 | 第7-13页 |
| ·研究背景 | 第7-9页 |
| ·相变存储器 | 第9-11页 |
| ·本文研究内容及结构 | 第11-13页 |
| 2 相变材料的刻蚀工艺研究 | 第13-32页 |
| ·相变材料 | 第13-15页 |
| ·刻蚀工艺 | 第15-16页 |
| ·电感耦合等离子刻蚀 | 第16-21页 |
| ·相变材料的干法刻蚀研究 | 第21-31页 |
| ·本章小结 | 第31-32页 |
| 3 相变存储器的制备工艺研究 | 第32-53页 |
| ·相变存储器单元结构与版图设计 | 第32-34页 |
| ·工艺与测试设备 | 第34-35页 |
| ·剥离工艺制备相变存储单元 | 第35-42页 |
| ·刻蚀工艺制备相变存储单元 | 第42-52页 |
| ·两种制备工艺的比较 | 第52页 |
| ·本章小结 | 第52-53页 |
| 4 相变存储器单元的性能 | 第53-61页 |
| ·不同相变材料的单元性能比较 | 第53-57页 |
| ·不同工艺制备的单元性能比较 | 第57-60页 |
| ·本章小结 | 第60-61页 |
| 5 总结与展望 | 第61-62页 |
| 致谢 | 第62-63页 |
| 参考文献 | 第63-67页 |
| 附录 攻读硕士学位期间申请专利情况 | 第67页 |