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组合电路SET若干效应及软错误率分析

摘要第1-10页
ABSTRACT第10-11页
第一章 绪论第11-25页
   ·课题研究背景第11-18页
     ·辐射环境的特点第11-14页
     ·辐照对集成电路的影响第14-16页
     ·SET 效应及本课题的研究意义第16-18页
   ·国内外相关研究及不足第18-24页
     ·国内外相关研究第18-24页
     ·相关研究存在的不足第24页
   ·本文研究内容与结构第24-25页
     ·本文的主要内容第24-25页
     ·本文的组织结构第25页
第二章 P 阱接触对SET 脉冲产生的影响第25-43页
   ·引言第27页
   ·器件级建模第27-28页
   ·P 阱接触对N 阱电势的调制作用第28-35页
     ·模拟环境设置第28-29页
     ·模拟结果与讨论第29-35页
   ·P 阱接触对SET 脉冲产生的影响第35-39页
     ·模拟环境与设置第35页
     ·模拟结果与讨论第35-39页
   ·P 阱接触对SET 产生影响的试验验证第39-41页
   ·本章小结第41-43页
第三章 组合电路中SET 的传播及模拟第43-52页
   ·引言第43页
   ·重汇聚及对SET 脉冲传播的影响第43-45页
   ·SET 脉冲传播的混合模拟方法第45-49页
     ·门级网表解析第46-47页
     ·混合模拟方法第47-49页
   ·模拟结果与HSPICE 比较第49-50页
   ·本章小结第50-52页
第四章 基于混合模拟的软错误率分析工具第52-58页
   ·引言第52页
   ·组合电路软错误率分析工具实现第52-54页
   ·模拟结果及分析第54-57页
     ·模拟结果与SPICE 比较第54-55页
     ·模拟结果与SERA 比较第55-57页
   ·本章小结第57-58页
第五章 总结与展望第58-60页
   ·本文所作的工作第58-59页
   ·下一步的研究工作第59-60页
致谢第60-61页
参考文献第61-67页
作者在学期间取得的学术成果第67页

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