| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 引言 | 第6-13页 |
| ·集成电路的发展历史 | 第6-7页 |
| ·纳米级集成电路的可制造性问题 | 第7-9页 |
| ·集成电路设计和制造的协同 | 第9-11页 |
| ·目前世界上的相关研究状况 | 第11-12页 |
| ·本文完成的主要工作 | 第12-13页 |
| 第二章 分辨率增强技术与光刻可行性检查 | 第13-27页 |
| ·投影式光刻成像过程 | 第13-16页 |
| ·分辨率增强技术 | 第16-22页 |
| ·光学邻近校正 | 第18-19页 |
| ·离轴照明 | 第19-21页 |
| ·次分辨率辅助图形 | 第21-22页 |
| ·光刻可行性测试 | 第22-26页 |
| ·本章小结 | 第26-27页 |
| 第三章 光刻可行性检查规则 | 第27-44页 |
| ·光刻规则检查 | 第27-35页 |
| ·关键尺寸形变检查(Critical Dimension Variation) | 第28页 |
| ·断路和桥接验证(Pinch & Bridge) | 第28-29页 |
| ·线末端形变检查(Line End) | 第29-30页 |
| ·线末端盖形变检查(End Cap) | 第30-31页 |
| ·通孔覆盖检查(Contact/Via Overlap) | 第31页 |
| ·辅助图形成像检查(Assistant Feature) | 第31-32页 |
| ·工艺窗口检查(Process Window) | 第32-35页 |
| ·光刻规则的局限性 | 第35-37页 |
| ·运行速度过慢 | 第35-36页 |
| ·无效的检查 | 第36-37页 |
| ·光刻可行性检查规则 | 第37-43页 |
| ·线条和空槽检查(Line & Space) | 第37-40页 |
| ·线末端结构检查(End Line) | 第40-41页 |
| ·NILS(Normalized Intensity Log Slope)检查 | 第41-43页 |
| ·本章小结 | 第43-44页 |
| 第四章 光刻可行性检查性能优化 | 第44-57页 |
| ·空间成像理论 | 第44-50页 |
| ·部分相干光 | 第44-46页 |
| ·照明成像 | 第46-49页 |
| ·性能优化基本思想 | 第49-50页 |
| ·基于版图密度和周长的测试矢量过滤 | 第50-52页 |
| ·基于图样匹配的测试矢量过滤 | 第52-55页 |
| ·图样ID | 第52-53页 |
| ·图样匹配流程 | 第53-55页 |
| ·测试实例 | 第55-56页 |
| ·本章小结 | 第56-57页 |
| 第五章 总结与展望 | 第57-60页 |
| ·论文工作总结 | 第57-58页 |
| ·今后工作展望 | 第58-60页 |
| ·基于数据库图样匹配的测试矢量过滤 | 第58-59页 |
| ·基于数据库图样匹配的LCC hotspot自动修复 | 第59-60页 |
| 参考文献 | 第60-62页 |
| 致谢 | 第62-63页 |
