超深亚微米标准单元库的可制造性设计技术研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第6-15页 |
| ·集成电路的发展历史 | 第6-7页 |
| ·IC设计简介 | 第7-8页 |
| ·IC制造工艺流程概况 | 第8-9页 |
| ·为什么要进行可制造性设计 | 第9-12页 |
| ·标准单元库设计需考虑DFM的客观因素 | 第11-12页 |
| ·DFM技术的发展现状 | 第12-13页 |
| ·本选题涉及的主要工作 | 第13-15页 |
| 第二章 集成电路的设计制造流程 | 第15-32页 |
| ·集成电路设计流程简介 | 第15-20页 |
| ·数字集成电路逻辑设计 | 第16-17页 |
| ·数字集成电路物理设计 | 第17-20页 |
| ·光刻原理 | 第20-23页 |
| ·分辨率增强技术 | 第23-31页 |
| ·光学邻近校正 | 第25-26页 |
| ·移相掩模 | 第26-27页 |
| ·离轴照明 | 第27-30页 |
| ·次分辨率辅助图形 | 第30-31页 |
| ·小结 | 第31-32页 |
| 第三章 可制造性设计在IC中的应用和发展 | 第32-47页 |
| ·成品率误差分析 | 第32-36页 |
| ·随机性误差 | 第33页 |
| ·系统性误差 | 第33-35页 |
| ·参数误差 | 第35-36页 |
| ·与物理设计规则相关的可制造性问题 | 第36-44页 |
| ·45度转角形状分析 | 第36-38页 |
| ·L型形状分析 | 第38-39页 |
| ·多晶硅线端与有源区的距离 | 第39-40页 |
| ·平行多晶硅栅间距 | 第40-42页 |
| ·End-Line结构 | 第42-43页 |
| ·互连线通孔 | 第43-44页 |
| ·总结 | 第44-47页 |
| 第四章 基于DFM的标准单元库设计研究 | 第47-60页 |
| ·可制造性的标准单元库设计实验流程 | 第47-48页 |
| ·与物理设计相关的可制造性设计 | 第48-49页 |
| ·测试电路 | 第49-51页 |
| ·标准单元库设计规则的选取 | 第51-53页 |
| ·可制造性评定标准 | 第53-54页 |
| ·实验结果 | 第54-59页 |
| ·平行多晶硅栅间距(pps) | 第55页 |
| ·L形多晶硅栅与有源区的距离(pds) | 第55-57页 |
| ·多晶硅栅的线端长度(pel) | 第57-58页 |
| ·End-line结构的图形间距(els) | 第58-59页 |
| ·实验小结 | 第59-60页 |
| 第五章 结论和展望 | 第60-62页 |
| 参考文献 | 第62-63页 |
| 致谢 | 第63-64页 |
