电子束光刻邻近效应校正技术研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-17页 |
| ·研究背景及意义 | 第10-11页 |
| ·国内外研究现状 | 第11-14页 |
| ·常用的邻近效应校正方法 | 第12-14页 |
| ·三维邻近效应校正技术 | 第14页 |
| ·本文的主要研究工作 | 第14-15页 |
| ·论文的组织结构 | 第15-17页 |
| 第二章 图形内部邻近效应校正技术研究 | 第17-34页 |
| ·邻近效应校正技术 | 第17-19页 |
| ·电子束光刻技术 | 第17页 |
| ·邻近效应的产生机理 | 第17-18页 |
| ·邻近效应对电子束光刻的影响 | 第18-19页 |
| ·邻近效应校正理论 | 第19-22页 |
| ·能量沉积模型 | 第19-21页 |
| ·电子束在抗蚀剂中的有效曝光剂量计算 | 第21-22页 |
| ·邻近效应校正方法 | 第22-28页 |
| ·累积分布函数在有效曝光剂量计算中的应用 | 第23-25页 |
| ·内部邻近效应和相互邻近效应 | 第25-26页 |
| ·图形内部邻近效应校正 | 第26-28页 |
| ·内部邻近效应校正算法实现 | 第28-33页 |
| ·内部替换校正模块 | 第29-30页 |
| ·图形读入程序流程 | 第30-31页 |
| ·校正条件设置模块详细设计 | 第31-32页 |
| ·内部替换校正模块详细设计 | 第32-33页 |
| ·小结 | 第33-34页 |
| 第三章 复杂图形邻近效应校正技术研究 | 第34-48页 |
| ·集成电路中图形邻近效应校正 | 第34页 |
| ·内部邻近效应和相互邻近效应 | 第34-36页 |
| ·局部校正和全局校正 | 第36-40页 |
| ·局部校正 | 第36-38页 |
| ·全局校正 | 第38-40页 |
| ·相互邻近效应校正的计算机模拟 | 第40-41页 |
| ·快速邻近效应校正算法 | 第41-44页 |
| ·重叠窗口算法 | 第41-43页 |
| ·局部窗口校正算法 | 第43-44页 |
| ·相互邻近校正模块 | 第44页 |
| ·相互邻近校正模块详细设计 | 第44-46页 |
| ·设计目标 | 第44页 |
| ·算法描述 | 第44-45页 |
| ·程序执行流程 | 第45-46页 |
| ·小结 | 第46-48页 |
| 第四章 三维电子束光刻及仿真技术研究 | 第48-62页 |
| ·三维电子束光刻技术应用 | 第48-49页 |
| ·三维微细加工技术 | 第48-49页 |
| ·三维电子束光刻技术研究 | 第49页 |
| ·三维能量沉积分布模型 | 第49-54页 |
| ·能量沉积密度在厚层抗蚀剂深度方向上的变化规律 | 第50-52页 |
| ·分层的三维能量沉积分布模型 | 第52-54页 |
| ·分层三维能量沉积模型的性能分析 | 第54-56页 |
| ·厚层抗蚀剂分层计算性能分析与优化 | 第54-55页 |
| ·重复增量扫描策略 | 第55-56页 |
| ·三维电子束光刻的仿真技术研究 | 第56-60页 |
| ·主要数据结构设计 | 第57-58页 |
| ·模型数据结构 | 第58页 |
| ·软件运行界面 | 第58-60页 |
| ·三维电子束光刻相关实验分析 | 第60-61页 |
| ·小结 | 第61-62页 |
| 第五章 总结 | 第62-66页 |
| ·本文工作总结 | 第62-65页 |
| ·下一步研究方向 | 第65-66页 |
| 参考文献 | 第66-70页 |
| 攻读硕士学位期间取得的学术成果 | 第70-71页 |
| 致谢 | 第71页 |
