| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-21页 |
| ·纳米集成电路发展面临的栅介质材料问题与挑战 | 第11-12页 |
| ·高k栅介质材料的选择 | 第12-14页 |
| ·高k栅介质材料 | 第12页 |
| ·高k栅介质材料的选择依据 | 第12-14页 |
| ·高k栅介质材料的研究现状 | 第14-15页 |
| ·ⅣB高k氧化物 | 第14-15页 |
| ·ⅢA族金属氧化物 | 第15页 |
| ·稀土氧化物 | 第15页 |
| ·高k栅介质的可靠性研究现状 | 第15-16页 |
| ·高k栅介质材料的可靠性的表征 | 第16-18页 |
| ·可靠性的表征参数 | 第16页 |
| ·可靠性测试结构 | 第16-17页 |
| ·高k栅介质可靠性的测试方法 | 第17-18页 |
| ·选题依据及意义 | 第18-20页 |
| ·本论文研究内容 | 第20-21页 |
| 第二章 制备方法与表征技术 | 第21-29页 |
| ·薄膜的制备方法 | 第21-22页 |
| ·快速热处理(RTP)技术 | 第22-23页 |
| ·本论文使用的沉积技术及原理 | 第23-24页 |
| ·薄膜的表征技术 | 第24-29页 |
| ·薄膜结构与物化性质表征 | 第24-26页 |
| ·薄膜的电性能测试 | 第26-29页 |
| 第三章 制备及热处理工艺对GDH栅介质薄膜电学特性的影响 | 第29-41页 |
| ·实验过程 | 第29-31页 |
| ·靶材的制备 | 第29页 |
| ·基片的清洗 | 第29-30页 |
| ·高k栅介质薄膜的沉积 | 第30-31页 |
| ·制备工艺对GDH栅介质薄膜电性能的影响 | 第31-34页 |
| ·退火工艺对GDH-20栅介质薄膜电性能的影响 | 第34-40页 |
| ·不同温度退火对GDH-20薄膜电性能的影响 | 第34-37页 |
| ·不同气氛退火对GDH-20薄膜电学性能的影响 | 第37-40页 |
| ·本章小结 | 第40-41页 |
| 第四章 GDH-20与HfO_2/Gd_2O_3/Si堆栈层成分与结构的研究 | 第41-52页 |
| ·GDH-20薄膜成分与结构的研究 | 第41-46页 |
| ·GDH-20薄膜的结构与界面 | 第41-43页 |
| ·GDH-20薄膜的成分分析 | 第43-44页 |
| ·GDH-20薄膜的电学性能分析 | 第44-46页 |
| ·HfO_2/Gd_2O_3/Si堆栈层成分与结构的研究 | 第46-51页 |
| ·HfO_2/Gd_2O_3/Si堆栈结构的制备 | 第46页 |
| ·HfO_2/Gd_2O_3/Si堆栈层的成分分析 | 第46-48页 |
| ·HfO_2/Gd_2O_3/Si堆栈层的结构 | 第48-49页 |
| ·HfO_2/Gd_2O_3/Si堆栈层的电性能研究 | 第49-51页 |
| ·本章小结 | 第51-52页 |
| 第五章 GDH-20薄膜击穿特性分析与评价 | 第52-64页 |
| ·GDH-20高k栅介质的瞬时击穿特性研究 | 第52-54页 |
| ·GDH-20高k栅介质的TDDB软击穿特性研究 | 第54-58页 |
| ·GDH-20高k栅介质的脉冲击穿特性研究 | 第58-60页 |
| ·GDH-20高k栅介质与温度有关的热击穿特性研究 | 第60-63页 |
| ·本章小结 | 第63-64页 |
| 结论 | 第64-66页 |
| 参考文献 | 第66-70页 |
| 在学研究成果 | 第70-71页 |
| 致谢 | 第71页 |
