0.13μm SMIC抗辐照单元库的设计及验证
| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 符号对照表 | 第11-12页 |
| 缩略语对照表 | 第12-15页 |
| 第一章 绪论 | 第15-25页 |
| 1.1 研究背景 | 第15-16页 |
| 1.2 空间辐射环境及辐射效应 | 第16-21页 |
| 1.2.1 空间辐射环境 | 第16-17页 |
| 1.2.2 空间辐射效应 | 第17-21页 |
| 1.3 国内外相关研究现状 | 第21-23页 |
| 1.3.1 建库方面研究 | 第21-22页 |
| 1.3.2 抗辐照加固技术研究现状 | 第22-23页 |
| 1.4 本文主要研究内容及结构安排 | 第23-25页 |
| 第二章 抗辐照标准单元库设计 | 第25-47页 |
| 2.1 标准单元库设计概述 | 第25-29页 |
| 2.1.1 ASIC设计方法 | 第25-26页 |
| 2.1.2 标准单元库组成 | 第26页 |
| 2.1.3 标准单元库建库流程 | 第26-27页 |
| 2.1.4 标准单元库建立相关理论 | 第27-29页 |
| 2.2 抗辐照单元加固方法 | 第29-37页 |
| 2.2.1 工艺加固技术 | 第29-31页 |
| 2.2.2 设计加固技术 | 第31-37页 |
| 2.3 抗辐照标准单元库的建立 | 第37-46页 |
| 2.3.1 抗辐照标准单元设计 | 第37-41页 |
| 2.3.2 抗辐照标准单元时序库建立 | 第41-44页 |
| 2.3.3 抗辐照单元库验证 | 第44-46页 |
| 2.4 本章小结 | 第46-47页 |
| 第三章 抗辐照单元单粒子效应的器件/电路混合模拟 | 第47-63页 |
| 3.1 理论模型 | 第47-49页 |
| 3.2 单粒子仿真 | 第49-56页 |
| 3.2.1 低压NMOS器件模型 | 第49-52页 |
| 3.2.2 NMOS器件校准 | 第52-54页 |
| 3.2.3 单粒子效应模拟 | 第54-56页 |
| 3.3 抗辐照单元D触发器仿真 | 第56-61页 |
| 3.3.1 D触发器的单粒子效应分析 | 第56-57页 |
| 3.3.2 抗辐照加固D触发器设计 | 第57页 |
| 3.3.3 施加SET电流源仿真 | 第57-61页 |
| 3.4 本章小结 | 第61-63页 |
| 第四章 抗辐照单元库的应用 | 第63-69页 |
| 4.1 抗辐照计数器电路设计 | 第63-65页 |
| 4.1.1 逻辑综合验证 | 第64-65页 |
| 4.1.2 自动布局布线验证 | 第65页 |
| 4.2 抗辐照性能评估 | 第65-68页 |
| 4.2.1 抗辐照试验方案 | 第65-67页 |
| 4.2.2 辐照试验结果分析 | 第67-68页 |
| 4.3 本章小结 | 第68-69页 |
| 第五章 总结与展望 | 第69-71页 |
| 5.1 总结 | 第69页 |
| 5.2 展望 | 第69-71页 |
| 参考文献 | 第71-75页 |
| 致谢 | 第75-77页 |
| 作者简介 | 第77-79页 |
| 附录A | 第79-81页 |
| 附录B | 第81-88页 |
