首页--工业技术论文--无线电电子学、电信技术论文--微电子学、集成电路(IC)论文--一般性问题论文

55nm CMOS金属硬质掩模铜互连技术中湿法清洗工艺的开发与改进

摘要第5-6页
ABSTRACT第6页
第一章 绪论第12-24页
    1.1 课题背景第12-13页
    1.2 大马士革工艺的结构第13-15页
    1.3 铜互连工艺中湿法清洗的要求第15页
    1.4 铜互连工艺中湿法清洗药液第15-16页
    1.5 清洗设备第16-17页
    1.6 湿法清洗原理第17-23页
        1.6.1 颗粒去除的基本原理第17-18页
        1.6.2 化学清洗方法第18-19页
        1.6.3 物理清洗方法第19-22页
        1.6.4 铜抗腐蚀剂第22-23页
    1.7 本课题研究的内容和意义第23-24页
第二章 工艺开发第24-32页
    2.1 工艺要求第24页
    2.2 药液评估第24-29页
        2.2.1 评估标准第24-25页
        2.2.2 药液基本情况第25页
        2.2.3 材料兼容性测试第25-26页
        2.2.4 图形片测试第26-29页
        2.2.5 结论第29页
    2.3 工艺调试第29-31页
    2.4 小结第31-32页
第三章 工艺改进第32-46页
    3.1 铜腐蚀缺陷改善第32-35页
        3.1.1 缺陷情况第32页
        3.1.2 原因分析第32-33页
        3.1.3 实验验证第33-35页
        3.1.4 改善及结果第35页
    3.2 有机残留缺陷研究第35-39页
        3.2.1 缺陷情况第35-36页
        3.2.2 工艺程式第36-37页
        3.2.3 工艺程式对有机残留的影响第37-38页
        3.2.4 机理研究第38页
        3.2.5 改进措施第38-39页
    3.3 球形缺陷改善第39-45页
        3.3.1 球形缺陷情况及产生机理第39-40页
        3.3.2 设备洁净度对球形缺陷的影响第40-42页
        3.3.3 药液洁净度对球形缺陷的影响(ST250 COA &filter)第42-44页
        3.3.4 球形缺陷的改进第44-45页
    3.4 小结第45-46页
第四章 CU互连清洗工艺发展趋势分析第46-48页
    4.1 清洗药液发展趋势第46页
    4.2 清洗设备发展趋势第46-47页
    4.3 刻蚀后处理的应用第47页
    4.4 小结第47-48页
第五章 结束语第48-50页
    5.1 主要工作和创新点第48页
    5.2 后续研究工作第48-50页
参考文献第50-52页
致谢第52页

论文共52页,点击 下载论文
上一篇:基于收益法的动漫企业价值评估的案例研究--以MY企业为例
下一篇:基于单幅实时测量图像三维形貌恢复的研究