| 摘要 | 第1-11页 |
| Abstract | 第11-16页 |
| 缩略词注释表 | 第16-17页 |
| 第一章 绪论 | 第17-34页 |
| §1.1 微机电系统与微细加工技术 | 第17-22页 |
| §1.1.1 微机电系统概述 | 第17-20页 |
| §1.1.2 微细加工技术 | 第20-22页 |
| §1.2 电子束光刻技术及其邻近效应校正技术 | 第22-30页 |
| §1.2.1 邻近效应校正方法 | 第23-24页 |
| §1.2.2 电子散射的能量沉积密度分布 | 第24-26页 |
| §1.2.3 电子在固体中散射的物理模型 | 第26-30页 |
| §1.2.3.1 弹性散射模型 | 第26-27页 |
| §1.2.3.2 非弹性散射模型 | 第27页 |
| §1.2.3.3 能量损失模型 | 第27-30页 |
| §1.3 本论文研究内容 | 第30-32页 |
| §1.3.1 论文工作的目的和意义 | 第30-31页 |
| §1.3.2 论文的主要工作与技术创新点 | 第31-32页 |
| §1.4 论文的内容安排 | 第32-34页 |
| 第二章 电子在固体中散射物理模型及其优化 | 第34-63页 |
| §2.1 常用弹性散射物理模型 | 第35-41页 |
| §2.1.1 屏蔽的Rutherford弹性散射截面公式 | 第36-37页 |
| §2.1.2 Mott弹性散射截面 | 第37-38页 |
| §2.1.3 Pendry弹性散射截面 | 第38-39页 |
| §2.1.4 Browning拟合公式 | 第39-41页 |
| §2.2 非弹性散射模型 | 第41-52页 |
| §2.2.1 与结合紧密的壳层电子的碰撞截面 | 第41-42页 |
| §2.2.2 入射电子与结合松散的外层电子的散射截面 | 第42-43页 |
| §2.2.3 能量损失模型 | 第43-52页 |
| §2.2.3.1 CSDA模型 | 第43-49页 |
| §2.2.3.2 离散能量损失模型 | 第49-50页 |
| §2.2.3.3 混合模型 | 第50-52页 |
| §2.3 电子束对抗蚀剂的曝光过程 | 第52-53页 |
| §2.4 散射模型及其优化 | 第53-61页 |
| §2.4.1 散射模型的优化 | 第54-60页 |
| §2.4.1.1 弹性散射模型的优化 | 第55-57页 |
| §2.4.1.2 非弹性散射模型的优化 | 第57-60页 |
| §2.4.2 模拟结果 | 第60-61页 |
| §2.5 结论 | 第61-63页 |
| 第三章 低能电子束光刻的规律研究 | 第63-86页 |
| §3.1 电子束微三维光刻 | 第64-66页 |
| §3.2 CSDA模型及计算方法 | 第66-76页 |
| §3.2.1 电子在固体中的散射过程 | 第67-68页 |
| §3.2.2 模拟过程 | 第68-69页 |
| §3.2.3 低能电子在固体中散射轨迹及其碰撞的模拟 | 第69-72页 |
| §3.2.4 电子在固体中散射的能量沉积分布 | 第72-76页 |
| §3.2.4.1 入射束能对电子能量沉积的影响 | 第72-74页 |
| §3.2.4.2 衬底材料对电子能量沉积分布的影响 | 第74-75页 |
| §3.2.4.3 抗蚀剂厚度对电子能量沉积的影响 | 第75-76页 |
| §3.3 离散模型的Monte Carlo模拟 | 第76-83页 |
| §3.3.1 离散散射模型 | 第77-78页 |
| §3.3.2 离散模型的电子散射过程 | 第78-79页 |
| §3.3.3 模拟过程 | 第79-81页 |
| §3.3.4 模拟结果及分析 | 第81-83页 |
| §3.3.4.1 电子的穿透深度 | 第81页 |
| §3.3.4.2 能量沉积的横向分布 | 第81-83页 |
| §3.4 模拟结果及结论 | 第83-86页 |
| §3.4.1 穿透深度 | 第83页 |
| §3.4.2 能量沉积的横向分布 | 第83-84页 |
| §3.4.3 结论 | 第84-86页 |
| 第四章 中高能电子束对抗蚀剂曝光的规律研究 | 第86-110页 |
| §4.1 中高能电子束光刻Monte Carlo模拟过程的改进 | 第87-89页 |
| §4.2 中高能电子束对抗蚀剂曝光的Monte Carlo模拟 | 第89-96页 |
| §4.2.1 散射模型 | 第89-90页 |
| §4.2.2 计算过程 | 第90-92页 |
| §4.2.3 电子背散射系数和透射系数 | 第92-93页 |
| §4.2.4 能量沉积分布 | 第93-94页 |
| §4.2.5 入射电子束能对能量沉积的影响 | 第94-95页 |
| §4.2.6 抗蚀剂厚度对电子能量沉积的影响 | 第95页 |
| §4.2.7 衬底材料对电子能量沉积分布的影响 | 第95-96页 |
| §4.3 电子束的能量、剂量与刻蚀深度关系的研究 | 第96-103页 |
| §4.3.1 解析法计算穿透深度和能量吸收密度 | 第96-98页 |
| §4.3.2 Monte Carlo模拟法计算穿透深度和能量吸收密度 | 第98-100页 |
| §4.3.3 模拟计算和实验结果 | 第100-103页 |
| §4.4.3.1 电子束能量与穿透深度之间的关系 | 第100-101页 |
| §4.4.3.2 电子束剂量与穿透深度之间的关系 | 第101-103页 |
| §4.4 重复增量扫描方式刻蚀三维微结构的研究 | 第103-109页 |
| §4.4.1 基于DSP的新型图形发生器 | 第103-105页 |
| §4.4.2 重复增量扫描策略 | 第105-106页 |
| §4.4.3 曝光剂量的计算 | 第106-109页 |
| §4.5 实验结果与结论 | 第109-110页 |
| §4.5.1 实验结果 | 第109页 |
| §4.5.2 结论 | 第109-110页 |
| 第五章 电子束光刻中的邻近效应校正 | 第110-149页 |
| §5.1 曝光强度分布函数 | 第111-116页 |
| §5.2 邻近效应校正的工艺措施 | 第116-122页 |
| §5.2.1 优化入射电子束能量减弱邻近效应 | 第116-117页 |
| §5.2.2 优化抗蚀剂减弱邻近效应 | 第117-120页 |
| §5.2.2.1 优化抗蚀剂厚度减弱邻近效应 | 第117页 |
| §5.2.2.2 采用多层抗蚀剂技术减弱邻近效应 | 第117-120页 |
| §5.2.3 优化衬底材料及结构减弱邻近效应 | 第120-122页 |
| §5.2.3.1 选择低原子序数衬底材料减弱邻近效应 | 第120页 |
| §5.2.3.2 利用薄膜衬底减弱邻近效应 | 第120-122页 |
| §5.3 邻近效应的软件校正 | 第122-132页 |
| §5.3.1 倒易原理 | 第122-123页 |
| §5.3.2 邻近效应软件校正方法 | 第123-125页 |
| §5.3.3 有效曝光剂量计算模型 | 第125-127页 |
| §5.3.4 数字信号处理模型 | 第127-128页 |
| §5.3.5 分级模型 | 第128-132页 |
| §5.3.5.1 通过累积分布函数计算有效曝光剂量 | 第128-130页 |
| §5.3.5.2 局部曝光窗口与全局曝光窗口 | 第130-132页 |
| §5.4 基于形状修正的邻近效应校正 | 第132-136页 |
| §5.4.1 内部校正 | 第133-135页 |
| §5.4.2 局部校正 | 第135-136页 |
| §5.4.3 全局校正 | 第136页 |
| §5.5 基于形状修正的邻近效应校正方法的实现 | 第136-139页 |
| §5.6 抗蚀剂显影图形的计算机模拟 | 第139-145页 |
| §5.7 校正精度与参数优化 | 第145-148页 |
| §5.8 结论 | 第148-149页 |
| 第六章 结论 | 第149-153页 |
| 参考文献 | 第153-164页 |
| 攻读博士学位期间完成的论文及参加的科研工作 | 第164-165页 |
| 作为主要成员参加的课题研究 | 第165-166页 |
| 致谢 | 第166页 |
