| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-10页 |
| 一、硅片边缘清洗技术简介 | 第10-11页 |
| 二、硅片边缘缺陷的来源 | 第11-15页 |
| ·硅片边缘缺陷的几种来源 | 第11-13页 |
| ·硅片边缘缺陷的检测 | 第13-15页 |
| 三、硅片边缘等离子清洗刻蚀速率曲线及其影响因素的研究 | 第15-25页 |
| ·等离子刻蚀 | 第15-17页 |
| ·等离子硅片边缘清洗设备 | 第17-18页 |
| ·测量刻蚀速率特征曲线 | 第18-19页 |
| ·刻蚀速率特征曲线影响因素的研究 | 第19-23页 |
| ·PEZ ring直径 | 第19-20页 |
| ·功率 | 第20页 |
| ·Gap | 第20-21页 |
| ·压力 | 第21-22页 |
| ·气体组分 | 第22-23页 |
| ·硅片传送对刻蚀速率均一性的影响 | 第23-25页 |
| 四、气体组分对薄膜刻蚀速率选择比影响的研究 | 第25-30页 |
| ·对硅化合物与有机聚合材料间选择比的影响 | 第25-27页 |
| ·对不同硅化合物之间选择比的影响 | 第27-30页 |
| 五、等离子硅片边缘清洗工艺的建立和优化 | 第30-35页 |
| ·等离子硅片边缘清洗工艺建立的常用手段 | 第31-33页 |
| ·等离子硅片边缘清洗工艺的优化 | 第33-35页 |
| 六、等离子清洗工艺与芯片制造工艺流程的整合 | 第35-55页 |
| ·浅沟隔离工艺后的硅片边缘等离子清洗 | 第35-39页 |
| ·浅沟隔离工艺后常见的硅片边缘缺陷 | 第35-36页 |
| ·浅沟隔离工艺后硅片边缘等离子清洗的解决方案 | 第36-39页 |
| ·spacer loop工艺后的硅片边缘等离子清洗 | 第39-45页 |
| ·spacer loop工艺后常见的硅片边缘缺陷 | 第40页 |
| ·spacer loop工艺后硅片边缘等离子清洗的解决方案 | 第40-45页 |
| ·通孔工艺后的硅片边缘等离子清洗 | 第45-51页 |
| ·通孔工艺后常见的硅片边缘缺陷 | 第45-46页 |
| ·通孔工艺的硅片边缘等离子清洗的解决方案 | 第46-51页 |
| ·铜制程工艺中的硅片边缘等离子清洗 | 第51-55页 |
| ·铜制程工艺中常见的硅片边缘缺陷 | 第51-53页 |
| ·铜制程工艺中硅片边缘等离子清洗的解决方案 | 第53-55页 |
| 七、总结 | 第55-56页 |
| 参考文献 | 第56-58页 |
| 致谢 | 第58-59页 |
