| 摘要 | 第1-3页 |
| Abstract | 第3-6页 |
| 第一章 绪论 | 第6-15页 |
| §1.1 各种半导体材料的发展情况 | 第6-8页 |
| §1.2 GeSi量子点的发光机理以其相关应用前景 | 第8-9页 |
| §1.3 研究GeSi量子点的方法 | 第9-13页 |
| §1.3.1 原子力显微镜(Atomic Force Microscopy) | 第9-10页 |
| §1.3.2 光致发光谱(Photolumicescence Spectroscopy) | 第10-11页 |
| §1.3.3 透射电子显微镜(Transmission Electron Microscopy TEM) | 第11-13页 |
| §1.4 本文主要研究内容 | 第13-14页 |
| §1.5 参考文献 | 第14-15页 |
| 第二章 GeSi量子点生长的现状研究 | 第15-22页 |
| §2.1 自组织生长GeSi量子点的方法 | 第15-17页 |
| §2.2 提高量子点有序性的方法 | 第17-18页 |
| §2.3 图案衬底生长代表性工作 | 第18-21页 |
| §2.4 参考文献 | 第21-22页 |
| 第三章 样品的制备 | 第22-30页 |
| §3.1 纳米球刻蚀技术简介 | 第22页 |
| §3.2 纳米球刻蚀有序排列方法 | 第22-26页 |
| §3.2.1 旋涂法排列聚苯乙烯纳米球单层薄膜 | 第23页 |
| §3.2.2 垂直蒸发法排列聚苯乙烯纳米球单层薄膜 | 第23-24页 |
| §3.2.3 Langmuir-Blodgett(LB)法排列聚苯乙烯纳米球单层薄膜 | 第24-26页 |
| §3.3 硅衬底图案的制作 | 第26-27页 |
| §3.4 图案衬底上量子点的生长 | 第27-29页 |
| §3.5 参考文献 | 第29-30页 |
| 第四章 图案衬底样品的光致发光实验 | 第30-44页 |
| §4.1 样品的结构以及实验条件 | 第30-31页 |
| §4.2 实验结果及讨论 | 第31-40页 |
| §4.2.1 量子点形貌及高度统计 | 第31-33页 |
| §4.2.2 相同激发功率相同温度下图案衬底和平衬底PL谱的比较 | 第33-34页 |
| §4.2.3 相同温度不同激发功率下图案衬底和平衬底PL谱的比较 | 第34-38页 |
| §4.2.4 不同温度相同激发功率下图案衬底PL谱的研究 | 第38-40页 |
| §4.3 相关样品的重复性实验 | 第40-43页 |
| §4.4 参考文献 | 第43-44页 |
| 工作总结 | 第44-45页 |
| 致谢 | 第45-46页 |
