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聚焦离子束的微结构溅射刻蚀轮廓计算方法

摘要第5-6页
Abstract第6-7页
第一章 绪论第10-20页
    1.1 聚焦离子束技术概述第10页
    1.2 聚焦离子束技术及应用第10-14页
        1.2.1 FIB系统结构及原理第10-11页
        1.2.2 聚焦离子束基本功能第11-12页
        1.2.3 FIB系统的应用第12-14页
    1.3 FIB工艺模型与实验的意义第14-16页
    1.4 课题研究现状及关键技术第16-18页
    1.5 论文的组织结构第18-20页
第二章 FIB溅射刻蚀加工工艺及其影响因素第20-32页
    2.1 FIB溅射刻蚀机理第20-21页
    2.2 FIB溅射刻蚀加工工艺第21-23页
        2.2.1 结构加工方法第21-22页
        2.2.2 离子束扫描策略第22-23页
    2.3 溅射刻蚀加工的效应及问题第23-25页
    2.4 离子束刻蚀加工的影响因素第25-27页
    2.5 离子束轮廓计算工艺模型第27-30页
        2.5.1 FIB溅射刻蚀工艺计算方法第29-30页
        2.5.2 再沉积分布及计算方法第30页
    2.6 本章小结第30-32页
第三章 FIB溅射刻蚀实验结果及分析第32-44页
    3.1 实验设备与流程第32-33页
        3.1.1 实验设备第32页
        3.1.2 实验流程第32-33页
    3.2 线轮廓实验结果与分析第33-37页
        3.2.1 离子束电流对线结构轮廓的影响第33-36页
        3.2.2 驻留时间对线结构深宽度的影响第36-37页
    3.3 矩形微结构实验与分析第37-41页
        3.3.1 驻留时间对矩形微结构形貌的影响第37-38页
        3.3.2 像素重叠率对矩形结构的影响第38-39页
        3.3.3 再沉积效应对矩形结构的影响第39-41页
    3.4 其他结构实验与分析第41-43页
        3.4.1 矩形结构干涉效应第41-42页
        3.4.2 再沉积结构重叠第42-43页
    3.5 本章小结第43-44页
第四章 FIB溅射刻蚀轮廓计算方法第44-60页
    4.1 轮廓计算方法研究第44-47页
        4.1.1 不同轮廓分布形式的对比第44-47页
    4.2 离子束流轮廓分布建立第47-51页
        4.2.1 电流对轮廓深宽度计算结果的影响第47-49页
        4.2.2 驻留时间对轮廓深宽度计算的影响第49-51页
    4.3 矩形结构的轮廓计算方法第51-54页
        4.3.1 矩形结构溅射刻蚀深度计算方法第51-53页
        4.3.2 矩形结构高像素重叠率计算结果第53-54页
    4.4 再沉积结构轮廓计算方法第54-59页
        4.4.1 平均溅射产额形成基底轮廓第54-55页
        4.4.2 再沉积分布及计算方法第55-56页
        4.4.3 再沉积轮廓计算结果第56-59页
    4.5 本章小结第59-60页
第五章 特殊结构轮廓计算与实验结果第60-71页
    5.1 特殊轮廓工艺设计研究第60-62页
        5.1.1 斜面或曲线结构工艺第60-61页
        5.1.2 周期性阵列结构工艺第61-62页
    5.2 斜面或曲线结构轮廓计算与实验结果第62-67页
        5.2.1 斜面或曲线结构加工方法第62-63页
        5.2.2 轮廓分层叠加中结构宽度的修正第63-64页
        5.2.3 轮廓分层工艺计算方法第64-65页
        5.2.4 斜面或曲线轮廓分层计算及实验结果第65-67页
    5.3 周期性阵列结构轮廓计算与实验结果第67-69页
        5.3.1 阵列结构轮廓计算及结果分析第67-68页
        5.3.2 阵列结构轮廓计算修正方法及结果第68-69页
    5.4 再沉积影响下的结构工艺第69-70页
    5.5 本章小结第70-71页
第六章 总结与展望第71-73页
    6.1 总结第71页
    6.2 展望第71-73页
致谢第73-74页
参考文献第74-76页

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