聚焦离子束的微结构溅射刻蚀轮廓计算方法
摘要 | 第5-6页 |
Abstract | 第6-7页 |
第一章 绪论 | 第10-20页 |
1.1 聚焦离子束技术概述 | 第10页 |
1.2 聚焦离子束技术及应用 | 第10-14页 |
1.2.1 FIB系统结构及原理 | 第10-11页 |
1.2.2 聚焦离子束基本功能 | 第11-12页 |
1.2.3 FIB系统的应用 | 第12-14页 |
1.3 FIB工艺模型与实验的意义 | 第14-16页 |
1.4 课题研究现状及关键技术 | 第16-18页 |
1.5 论文的组织结构 | 第18-20页 |
第二章 FIB溅射刻蚀加工工艺及其影响因素 | 第20-32页 |
2.1 FIB溅射刻蚀机理 | 第20-21页 |
2.2 FIB溅射刻蚀加工工艺 | 第21-23页 |
2.2.1 结构加工方法 | 第21-22页 |
2.2.2 离子束扫描策略 | 第22-23页 |
2.3 溅射刻蚀加工的效应及问题 | 第23-25页 |
2.4 离子束刻蚀加工的影响因素 | 第25-27页 |
2.5 离子束轮廓计算工艺模型 | 第27-30页 |
2.5.1 FIB溅射刻蚀工艺计算方法 | 第29-30页 |
2.5.2 再沉积分布及计算方法 | 第30页 |
2.6 本章小结 | 第30-32页 |
第三章 FIB溅射刻蚀实验结果及分析 | 第32-44页 |
3.1 实验设备与流程 | 第32-33页 |
3.1.1 实验设备 | 第32页 |
3.1.2 实验流程 | 第32-33页 |
3.2 线轮廓实验结果与分析 | 第33-37页 |
3.2.1 离子束电流对线结构轮廓的影响 | 第33-36页 |
3.2.2 驻留时间对线结构深宽度的影响 | 第36-37页 |
3.3 矩形微结构实验与分析 | 第37-41页 |
3.3.1 驻留时间对矩形微结构形貌的影响 | 第37-38页 |
3.3.2 像素重叠率对矩形结构的影响 | 第38-39页 |
3.3.3 再沉积效应对矩形结构的影响 | 第39-41页 |
3.4 其他结构实验与分析 | 第41-43页 |
3.4.1 矩形结构干涉效应 | 第41-42页 |
3.4.2 再沉积结构重叠 | 第42-43页 |
3.5 本章小结 | 第43-44页 |
第四章 FIB溅射刻蚀轮廓计算方法 | 第44-60页 |
4.1 轮廓计算方法研究 | 第44-47页 |
4.1.1 不同轮廓分布形式的对比 | 第44-47页 |
4.2 离子束流轮廓分布建立 | 第47-51页 |
4.2.1 电流对轮廓深宽度计算结果的影响 | 第47-49页 |
4.2.2 驻留时间对轮廓深宽度计算的影响 | 第49-51页 |
4.3 矩形结构的轮廓计算方法 | 第51-54页 |
4.3.1 矩形结构溅射刻蚀深度计算方法 | 第51-53页 |
4.3.2 矩形结构高像素重叠率计算结果 | 第53-54页 |
4.4 再沉积结构轮廓计算方法 | 第54-59页 |
4.4.1 平均溅射产额形成基底轮廓 | 第54-55页 |
4.4.2 再沉积分布及计算方法 | 第55-56页 |
4.4.3 再沉积轮廓计算结果 | 第56-59页 |
4.5 本章小结 | 第59-60页 |
第五章 特殊结构轮廓计算与实验结果 | 第60-71页 |
5.1 特殊轮廓工艺设计研究 | 第60-62页 |
5.1.1 斜面或曲线结构工艺 | 第60-61页 |
5.1.2 周期性阵列结构工艺 | 第61-62页 |
5.2 斜面或曲线结构轮廓计算与实验结果 | 第62-67页 |
5.2.1 斜面或曲线结构加工方法 | 第62-63页 |
5.2.2 轮廓分层叠加中结构宽度的修正 | 第63-64页 |
5.2.3 轮廓分层工艺计算方法 | 第64-65页 |
5.2.4 斜面或曲线轮廓分层计算及实验结果 | 第65-67页 |
5.3 周期性阵列结构轮廓计算与实验结果 | 第67-69页 |
5.3.1 阵列结构轮廓计算及结果分析 | 第67-68页 |
5.3.2 阵列结构轮廓计算修正方法及结果 | 第68-69页 |
5.4 再沉积影响下的结构工艺 | 第69-70页 |
5.5 本章小结 | 第70-71页 |
第六章 总结与展望 | 第71-73页 |
6.1 总结 | 第71页 |
6.2 展望 | 第71-73页 |
致谢 | 第73-74页 |
参考文献 | 第74-76页 |