| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-17页 |
| 1.1 课题背景与意义 | 第9-14页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第14-15页 |
| 1.3 本文的主要工作及设计指标 | 第15-16页 |
| 1.4 本文的组织结构 | 第16-17页 |
| 第二章 70V LDMOS器件热载流子退化研究基础 | 第17-25页 |
| 2.1 70V LDMOS器件的基本结构和特点 | 第17-18页 |
| 2.2 70V LDMOS器件的制备及电学特性 | 第18-19页 |
| 2.3 70V LDMOS器件热载流子效应研究方法 | 第19-23页 |
| 2.3.1 TCAD仿真技术 | 第19-20页 |
| 2.3.2 电学性能退化测试技术 | 第20页 |
| 2.3.3 电荷泵测试技术 | 第20-23页 |
| 2.4 本章小结 | 第23-25页 |
| 第三章 70V LDMOS器件热载流子退化机理研究 | 第25-47页 |
| 3.1 开态高压应力下70VL DMOS器件热载流子退化机理 | 第25-34页 |
| 3.1.1 LDMOS器件退化测试的应力条件研究 | 第25页 |
| 3.1.2 I_(sub,max)应力下LDMOS器件热载流子退化机理 | 第25-31页 |
| 3.1.3 V_(g,max)应力下LDMOS器件热载流子退化机理 | 第31-34页 |
| 3.2 不同结构参数对70V LDMOS器件性能参数退化影响研究 | 第34-39页 |
| 3.2.1 沟道长度对LDMOS器件热载流子退化的影响 | 第34-36页 |
| 3.2.2 积累区长度对LDMOS器件热载流子退化的影响 | 第36-37页 |
| 3.2.3 多晶硅栅场板长度对LDMOS器件热载流子退化的影响 | 第37-39页 |
| 3.3 场氧工艺对70V LDMOS器件热载流子退化影响研究 | 第39-42页 |
| 3.3.1 I_(sub,max)应力条件下场氧工艺对器件热载流子退化的影响 | 第39-41页 |
| 3.3.2 V_(g,max)应力条件下场氧工艺对器件热载流子退化的影响 | 第41-42页 |
| 3.4 浮空多晶硅栅场板对70VLDMOS器件热载流子退化影响研究 | 第42-45页 |
| 3.4.1 I_(sub,max)应力条件下浮空场板对器件热载流子效应的影响 | 第42-44页 |
| 3.4.2 V_(g,max)应力条件下浮空场板对器件热载流子效应的影响 | 第44-45页 |
| 3.5 本章小结 | 第45-47页 |
| 第四章 70V LDMOS器件热载流子可靠性优化设计 | 第47-57页 |
| 4.1 新型漂移区渐变掺杂结构70V LDMOS器件 | 第47-50页 |
| 4.1.1 漂移区渐变掺杂结构特点及器件电学性能 | 第47-48页 |
| 4.1.2 漂移区渐变掺杂结构对器件热载流子退化的影响 | 第48-50页 |
| 4.2 新型小场氧结构70VLDMOS器件 | 第50-51页 |
| 4.2.1 小场氧结构特点及器件电学性能 | 第50-51页 |
| 4.2.2 小场氧结构对器件热载流子退化的影响 | 第51页 |
| 4.3 新型嵌入式多晶硅栅场板结构70VLDMOS器件 | 第51-55页 |
| 4.3.1 嵌入式多晶硅栅场板结构特点及器件电学性能 | 第52-54页 |
| 4.3.2 嵌入式多晶硅栅场板结构对器件热载流子退化的影响 | 第54-55页 |
| 4.4 本章小结 | 第55-57页 |
| 第五章 总结与展望 | 第57-59页 |
| 5.1 总结 | 第57-58页 |
| 5.2 展望 | 第58-59页 |
| 致谢 | 第59-61页 |
| 参考文献 | 第61-65页 |
| 硕士期间取得成果 | 第65页 |
