| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-11页 |
| 第一章 前言 | 第11-37页 |
| ·集成电路发展对互连结构及材料提出的要求 | 第11-12页 |
| ·介电常数 | 第12-14页 |
| ·互连对低介电常数薄膜的综合要求 | 第14页 |
| ·低K薄膜的研究历史与现状 | 第14-29页 |
| ·无机低K电介质薄膜 | 第14-16页 |
| ·有机低K电介质薄膜 | 第16-20页 |
| ·无机-有机杂化型低K电介质薄膜 | 第20-25页 |
| ·多孔低K电介质薄膜 | 第25-29页 |
| ·低K电介质薄膜的铜扩散阻挡层金属化 | 第29-30页 |
| ·本论文研究目的和内容 | 第30-31页 |
| ·参考文献 | 第31-37页 |
| 第二章 超低介电常数多孔SiOCH薄膜的制备与表征 | 第37-65页 |
| ·引言 | 第37-38页 |
| ·实验方法 | 第38-40页 |
| ·薄膜的化学结构 | 第40-43页 |
| ·薄膜的电学性能 | 第43-44页 |
| ·薄膜的力学性能 | 第44-46页 |
| ·微观化学结构对薄膜电学和力学性能的影响 | 第46-53页 |
| ·薄膜的形貌观察 | 第53页 |
| ·薄膜的抗吸水性能 | 第53-55页 |
| ·MPB-SiOCH薄膜之概念及与其它ULK SiOCH薄膜的性能比较 | 第55-59页 |
| ·本章小结 | 第59-60页 |
| ·参考文献 | 第60-65页 |
| 第三章 磁控溅射Ru/WHfN扩散阻挡层及抗铜扩散性能研究 | 第65-99页 |
| ·引言 | 第65-66页 |
| ·实验方法 | 第66-67页 |
| ·WHfN薄膜的淀积工艺、材料性质以及阻挡性能的研究 | 第67-83页 |
| ·淀积工艺对薄膜电阻率的影响 | 第67-70页 |
| ·淀积工艺对WHfN薄膜物相结构及热稳定性的影响 | 第70-74页 |
| ·淀积工艺对WHfN薄膜化学组成及成键性质的影响 | 第74-78页 |
| ·WHfN薄膜的抗铜扩散性能 | 第78-83页 |
| ·Ru/WHfN双层阻挡层抗铜扩散性能研究 | 第83-93页 |
| ·本章小结 | 第93-94页 |
| ·参考文献 | 第94-99页 |
| 第四章 超低介电常数SiOCH薄膜与铜扩散阻挡层Ru/WHfN相互作用 | 第99-123页 |
| ·引言 | 第99页 |
| ·实验 | 第99-100页 |
| ·MPB-SiOCH薄膜与Ru/WHfN界面的化学元素构成和成键作用 | 第100-108页 |
| ·Ru/WHfN双层阻挡层抗铜向MPB-SiOCH薄膜扩散 | 第108-114页 |
| ·Cu/RuN/WHfN/MPB-SiOCH叠层系统界面粘附性的研究 | 第114-119页 |
| ·本章小结 | 第119-120页 |
| ·参考文献 | 第120-123页 |
| 第五章 从头计算法研究ALD ZrN及HfN阻挡层在超低介电常数SiOCH薄膜表面淀积的初始反应 | 第123-149页 |
| ·引言 | 第123页 |
| ·计算方法 | 第123-126页 |
| ·ALD ZrN薄膜的初始反应 | 第126-138页 |
| ·ZrCl_4与SiOCH薄膜表面上反应位的吸附反应 | 第126-131页 |
| ·SiOCH薄膜化学骨架结构对反应位活性的影响 | 第131-135页 |
| ·NH_3与薄膜表面-ZrCl3的吸附反应 | 第135-138页 |
| ·ALD HfN薄膜的初始反应 | 第138-144页 |
| ·HfCl_4与SiOCH薄膜表面上反应位的吸附反应 | 第138-141页 |
| ·NH_3与薄膜表面-HfCl_3的吸附反应 | 第141-144页 |
| ·本章小结 | 第144页 |
| ·参考文献 | 第144-149页 |
| 第六章 结论 | 第149-153页 |
| 致谢 | 第153-154页 |
| 作者读博士期间发表论文情况 | 第154页 |
| 读博士期间获得批准的专利情况 | 第154页 |
| 读博士期间己申请的专利情况 | 第154-155页 |
