| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5页 |
| 第1章 绪论 | 第8-12页 |
| 1.1 化学气相沉积技术简介及其常见类型 | 第8-9页 |
| 1.2 化学气相沉积技术在集成电路制造领域的应用 | 第9-10页 |
| 1.3 使用化学气相沉积法制备二氧化硅膜所遇到的问题 | 第10-11页 |
| 1.4 关于本论文 | 第11-12页 |
| 第2章 二氧化硅沉积膜的制备 | 第12-24页 |
| 2.1 制备薄膜的几种方法 | 第12页 |
| 2.2 选择薄膜制备方法的基本原则 | 第12-13页 |
| 2.3 薄膜的形成过程 | 第13-17页 |
| 2.3.1 临界核的形成 | 第13-16页 |
| 2.3.2 岛的长大和接合 | 第16页 |
| 2.3.3 迷津结构的形成 | 第16-17页 |
| 2.3.4 连续膜的形成 | 第17页 |
| 2.3.5 生长中缺陷的掺和 | 第17页 |
| 2.4 制备二氧化硅膜的设备 | 第17-22页 |
| 2.4.1 SequelC2设备的构造 | 第17-18页 |
| 2.4.2 标准机械接口(SMIF) | 第18-19页 |
| 2.4.3 载入腔简介 | 第19页 |
| 2.4.4 传送腔体简介 | 第19-20页 |
| 2.4.5 工艺腔体 | 第20-21页 |
| 2.4.6 晶圆在二氧化硅制备设备内的生产流程 | 第21-22页 |
| 2.5 小结 | 第22-24页 |
| 第3章 二氧化硅沉积膜的厚度误差 | 第24-32页 |
| 3.1 二氧化硅膜厚度误差的危害 | 第24-25页 |
| 3.2 衡量二氧化硅膜厚度的标准 | 第25-26页 |
| 3.3 影响二氧化硅膜厚度主要因素 | 第26-27页 |
| 3.4 温度对二氧化硅膜厚度影响的实验 | 第27-31页 |
| 3.4.1 实验流程 | 第27页 |
| 3.4.2 实验数据 | 第27-29页 |
| 3.4.3 实验结果分析 | 第29页 |
| 3.4.4 针对实验结果的改进措施 | 第29-31页 |
| 3.5 结论 | 第31-32页 |
| 第4章 二氧化硅膜的晶状物缺陷 | 第32-40页 |
| 4.1 引言 | 第32页 |
| 4.2 晶状物缺陷的测量方法 | 第32-35页 |
| 4.3 晶状物缺陷的实验再现 | 第35-36页 |
| 4.4 晶状缺陷的形成原因分析 | 第36-37页 |
| 4.5 针对上述实验的改进措施 | 第37-38页 |
| 4.6 小结 | 第38-40页 |
| 第5章 微粒污染物缺陷的产生原因和解决办法 | 第40-60页 |
| 5.1 引言 | 第40页 |
| 5.2 微粒污染物的检测手段和衡量标准 | 第40-44页 |
| 5.2.1 微粒污染物的检测手段 | 第40-44页 |
| 5.2.2 微粒污染物的衡量标准 | 第44页 |
| 5.3 二氧化硅膜的胞状微粒污染物 | 第44-47页 |
| 5.4 发生在工艺腔体内的层内微粒污染物 | 第47-59页 |
| 5.4.1 工艺腔体的气密性对微粒污染物的影响 | 第48-49页 |
| 5.4.2 对反应源气体的污染分析 | 第49页 |
| 5.4.3 对真空压力系统的分析 | 第49-54页 |
| 5.4.4 清洁制程对二氧化硅膜微粒污染物缺陷的影响 | 第54-59页 |
| 5.5 小结 | 第59-60页 |
| 第6章 总结和展望 | 第60-62页 |
| 6.1 总结 | 第60-61页 |
| 6.2 展望 | 第61-62页 |
| 参考文献 | 第62-66页 |
| 参加科研情况说明 | 第66-68页 |
| 致谢 | 第68-69页 |