首页--工业技术论文--无线电电子学、电信技术论文--半导体技术论文--一般性问题论文--材料论文--一般性问题论文

高分辨X射线衍射技术在GaN LED生产中的应用

摘要第3-4页
Abstract第4-5页
第一章 绪论第7-15页
    1.1 GaN 基材料的研究目的和意义第7页
    1.2 GaN 基材料的研究历史和现状第7-11页
    1.3 GaN 材料的基本结构及性质第11-15页
第二章 X 射线衍射技术和仪器介绍第15-27页
    2.1 X 射线衍射技术简介第15-19页
        2.1.1 X 射线粉末衍射技术第16-17页
        2.1.2 X 射线双晶衍射技术第17-18页
        2.1.3 X 射线三晶衍射技术第18-19页
    2.2 高分辨 X 射线衍射仪简介第19-27页
        2.2.1 衍射仪的物理操作过程第20-21页
        2.2.2 高分辨 X 射线衍射技术中常用的扫描方式第21-22页
        2.2.3 X 射线衍射仪介绍第22-27页
第三章 量子阱宽度对光功率和波长蓝移的影响研究第27-33页
    3.1 实验样品第27-28页
    3.2 对光功率和波长蓝移的研究第28-33页
第四章 缺陷和晶格常数的研究第33-45页
    4.1 扫描对晶体取向的试验结果第33-36页
    4.2 位错密度的测量和计算第36-40页
    4.3 晶格常数和应变的计算第40-45页
第五章 总结第45-47页
致谢第47-49页
参考文献第49-54页

论文共54页,点击 下载论文
上一篇:阴影衰落环境下无线多跳网络链路传输特性研究
下一篇:周春秀备战2008年北京奥运的赛前训练研究