摘要 | 第3-4页 |
Abstract | 第4-5页 |
第一章 绪论 | 第7-15页 |
1.1 GaN 基材料的研究目的和意义 | 第7页 |
1.2 GaN 基材料的研究历史和现状 | 第7-11页 |
1.3 GaN 材料的基本结构及性质 | 第11-15页 |
第二章 X 射线衍射技术和仪器介绍 | 第15-27页 |
2.1 X 射线衍射技术简介 | 第15-19页 |
2.1.1 X 射线粉末衍射技术 | 第16-17页 |
2.1.2 X 射线双晶衍射技术 | 第17-18页 |
2.1.3 X 射线三晶衍射技术 | 第18-19页 |
2.2 高分辨 X 射线衍射仪简介 | 第19-27页 |
2.2.1 衍射仪的物理操作过程 | 第20-21页 |
2.2.2 高分辨 X 射线衍射技术中常用的扫描方式 | 第21-22页 |
2.2.3 X 射线衍射仪介绍 | 第22-27页 |
第三章 量子阱宽度对光功率和波长蓝移的影响研究 | 第27-33页 |
3.1 实验样品 | 第27-28页 |
3.2 对光功率和波长蓝移的研究 | 第28-33页 |
第四章 缺陷和晶格常数的研究 | 第33-45页 |
4.1 扫描对晶体取向的试验结果 | 第33-36页 |
4.2 位错密度的测量和计算 | 第36-40页 |
4.3 晶格常数和应变的计算 | 第40-45页 |
第五章 总结 | 第45-47页 |
致谢 | 第47-49页 |
参考文献 | 第49-54页 |