| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-19页 |
| 1.1 集成电路产业现状及发展趋势 | 第9-12页 |
| 1.1.1 集成电路简介 | 第9-10页 |
| 1.1.2 全球集成电路产业发展情况 | 第10-11页 |
| 1.1.3 国内集成电路产业主要情况及发展展望 | 第11-12页 |
| 1.2 集成电路制造中的清洗工艺 | 第12-16页 |
| 1.2.1 单片湿法半导体设备及工艺现状 | 第13页 |
| 1.2.2 集成电路ESD现状 | 第13-14页 |
| 1.2.3 控制湿法工艺中静电的意义 | 第14-16页 |
| 1.3 本课题的研究进展 | 第16-17页 |
| 1.4 本文的主要研究内容 | 第17页 |
| 1.5 本文的组织结构 | 第17-19页 |
| 第二章 当前湿法工艺中的静电控制 | 第19-27页 |
| 2.1 静电的产生 | 第19-21页 |
| 2.2 湿法工艺中的静电来源 | 第21-22页 |
| 2.2.1 前序工艺带来的电荷 | 第21页 |
| 2.2.2 微环境及晶圆传输引起的电荷 | 第21-22页 |
| 2.2.3 湿法处理过程中产生的电荷 | 第22页 |
| 2.3 现行湿法设备静电控制检测设备及方法 | 第22-25页 |
| 2.3.1 离子发生器 | 第22-23页 |
| 2.3.2 CPM | 第23页 |
| 2.3.3 晶圆表面电荷分布测试设备 | 第23-24页 |
| 2.3.4 现行湿法设备表面静电的控制方法及问题 | 第24-25页 |
| 2.4 本章小结 | 第25-27页 |
| 第三章 湿法清洗中静电的闭环控制方法研究 | 第27-41页 |
| 3.1 湿法工艺中处理腔体内的静电消除检测模型分析 | 第27-31页 |
| 3.1.1 离子风强度的检测 | 第27-28页 |
| 3.1.2 模型中关键参数在实际应用中的影响 | 第28-31页 |
| 3.2 晶圆表面电势变化的影响 | 第31-32页 |
| 3.3 湿法腔体内的闭环控制 | 第32-39页 |
| 3.3.1 离子发生系统的闭环控制 | 第32-33页 |
| 3.3.2 湿法处理腔体内晶圆表面电荷的状况的实时检测 | 第33-34页 |
| 3.3.3 离子风检测系统及晶圆表面微电流监测系统的实现 | 第34-38页 |
| 3.3.4 基于晶圆表面电荷分布的数据共享的优化控制方案 | 第38-39页 |
| 3.4 本章小结 | 第39-41页 |
| 第四章 晶圆表面电荷控制的试验 | 第41-51页 |
| 4.1 案例基本情况 | 第41-47页 |
| 4.1.1 案例分析及验证 | 第41-44页 |
| 4.1.2 DI引起晶圆表面电荷变化的分析 | 第44-46页 |
| 4.1.3 放电缺陷形成的分析 | 第46-47页 |
| 4.2 案例解决方案的分析 | 第47-48页 |
| 4.3 离子发生器闭环控制方案及效果 | 第48-49页 |
| 4.4 本章小结 | 第49-51页 |
| 第五章 闭环控制系统在腔体状况监测中的应用 | 第51-59页 |
| 5.1 案例基本情况 | 第51页 |
| 5.2 缺陷形成分析 | 第51-55页 |
| 5.2.1 晶圆的表面结构 | 第52页 |
| 5.2.2 缺陷形成的潜在模型 | 第52-53页 |
| 5.2.3 问题腔体的工艺检测 | 第53-54页 |
| 5.2.4 问题的最终定性 | 第54-55页 |
| 5.3 闭环控制系统的引入与问题的解决 | 第55-57页 |
| 5.3.1 湿法腔体内闭环控制系统的引入 | 第55-56页 |
| 5.3.2 湿法腔体内闭环控制系统的具体实现 | 第56-57页 |
| 5.3.3 APC(Automatic Process Control,自动工艺控制) | 第57页 |
| 5.4 本章小结 | 第57-59页 |
| 第六章 结论与展望 | 第59-63页 |
| 6.1 回顾 | 第59-60页 |
| 6.2 结论 | 第60-61页 |
| 6.2.1 湿法工艺中晶圆表面电荷的形成 | 第60-61页 |
| 6.2.2 湿法工艺中静电引起的缺陷 | 第61页 |
| 6.2.3 湿法处理中静电的闭环控制 | 第61页 |
| 6.3 展望 | 第61-63页 |
| 参考文献 | 第63-67页 |
| 致谢 | 第67-69页 |
| 个人简历、在学期间发表的论文与研究成果 | 第69页 |
