| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-9页 |
| 目录 | 第9-12页 |
| 第一章 绪论 | 第12-24页 |
| §1.1 小尺寸CMOS器件的研究与进展 | 第12-15页 |
| §1.2 纳米尺度的CMOS面临的挑战 | 第15-21页 |
| §1.2.1 载流子的输运特性 | 第15-16页 |
| §1.2.2 器件的驱动电流 | 第16-18页 |
| §1.2.3 器件的静态功耗 | 第18-20页 |
| §1.2.4 器件的可靠性与稳定性 | 第20页 |
| §1.2.5 器件的建模与模拟 | 第20-21页 |
| §1.3 本论文的研究工作 | 第21-23页 |
| §1.4 本章小结 | 第23-24页 |
| 第二章 纳米MOSFET器件中载流子的弹道输运及迁移率 | 第24-44页 |
| §2.1 弹道输运(BT)模型 | 第24-34页 |
| §2.1.1 弹道输运(BT)物理本质 | 第24-28页 |
| §2.1.2 适用于纳米MOSFET的准弹道输运宏模型 | 第28-34页 |
| §2.2 纳米MOSFET迁移率的统计分析 | 第34-42页 |
| §2.2.1 纳米器件中载流子的分布函数 | 第34-37页 |
| §2.2.2 纳米器件载流子迁移率模型 | 第37-38页 |
| §2.2.3 模型计算与分析 | 第38-42页 |
| §2.3 本章小结 | 第42-44页 |
| 第三章 纳米MOSFET阈值电压的量子效应 | 第44-66页 |
| §3.1 一维量子效应及其对阈值电压的影响 | 第44-54页 |
| §3.1.1 一维量子效应的解析模型 | 第44-46页 |
| §3.1.2 纳米MOSFET阈值电压的一维量子效应 | 第46-49页 |
| §3.1.3 计算结果分析与讨论 | 第49-54页 |
| §3.2 二维量子效应对阈值电压的修正 | 第54-65页 |
| §3.2.1 二维量子效应的研究 | 第55-58页 |
| §3.2.2 二维量子效应对阈值电压的修正 | 第58-60页 |
| §3.2.3 计算结果分析与讨论 | 第60-65页 |
| §3.3 本章小结 | 第65-66页 |
| 第四章 纳米MOSFET栅电容的量子效应 | 第66-86页 |
| §4.1 纳米MOSFET反型层中的量子效应对栅电容的影响 | 第67-74页 |
| §4.1.1 反型层电容C_(inv)的解析模型 | 第67-69页 |
| §4.1.2 耗尽层电容C_(dep)的量子效应的解析模型 | 第69-70页 |
| §4.1.3 计算结果分析与讨论 | 第70-74页 |
| §4.2 纳米MOSFET多晶硅栅中的量子效应对栅电容的影响 | 第74-83页 |
| §4.2.1 多晶硅栅中的量子效应 | 第75-77页 |
| §4.2.2 栅电极电容的解析模型 | 第77-78页 |
| §4.2.3 计算结果分析与讨论 | 第78-83页 |
| §4.3 纳米MOSFET栅电容减小模型 | 第83-85页 |
| §4.4 本章小结 | 第85-86页 |
| 第五章 纳米MOSFET亚阈值电流的控制 | 第86-108页 |
| §5.1 MOSFET亚阈值电流的基本理论 | 第87-100页 |
| §5.1.1 长沟道MOSFET亚阈值电流 | 第87-90页 |
| §5.1.2 短沟道MOSFET亚阈值电流的修正 | 第90-100页 |
| §5.2 纳米MOSFET亚阈值性能的研究 | 第100-107页 |
| §5.2.1 亚阈值区表面电势的改进 | 第101-103页 |
| §5.2.2 纳米MOSFET亚阈值电流与亚阈值摆幅 | 第103-105页 |
| §5.2.3 计算结果分析与讨论 | 第105-107页 |
| §5.3 本章小结 | 第107-108页 |
| 第六章 总结与展望 | 第108-111页 |
| §6.1 总结 | 第108-109页 |
| §6.2 未来工作 | 第109-111页 |
| §6.2.1 建立新的载流子输运宏模型 | 第110页 |
| §6.2.2 射频MOSFET器件的建模立 | 第110页 |
| §6.2.3 研制新型纳米器件 | 第110-111页 |
| 参考文献 | 第111-121页 |
| 插图清单 | 第121-123页 |
| Illustration List | 第123-126页 |
| 表格清单 | 第126-127页 |
| Table List | 第127-128页 |
| 致谢 | 第128-129页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文 | 第129-130页 |
| 攻读学位期间参加的项目 | 第130页 |
