LDMOS的可靠性和温度特性研究
| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-13页 |
| 第一章 绪言 | 第13-23页 |
| ·功率半导体器件和功率集成电路 | 第13-15页 |
| ·LDMOS的概述和研究现状 | 第15-18页 |
| ·论文的选题和主要研究内容 | 第18-19页 |
| 参考文献 | 第19-23页 |
| 第二章 高压功率LDMOS器件的设计 | 第23-45页 |
| ·n沟道LDMOS器件的结构 | 第23-24页 |
| ·漂移区参数设计 | 第24-37页 |
| ·RESURF结构 | 第25-29页 |
| ·漂移区长度的设计 | 第29-30页 |
| ·漂移区掺杂浓度和结深的设计 | 第30-37页 |
| ·场极板长度的设计 | 第37-39页 |
| ·氧化层厚度的设计 | 第39-42页 |
| ·栅极及沟道参数的设计 | 第42-43页 |
| ·本章小结 | 第43-44页 |
| 参考文献 | 第44-45页 |
| 第三章 LDMOS电学参数的分析与建模 | 第45-77页 |
| ·LDMOS的电流模型 | 第45-54页 |
| ·V_(DS)较小时的沟道电流 | 第45-48页 |
| ·沟道饱和电流 | 第48-50页 |
| ·LDMOS漂移区电流模型 | 第50-53页 |
| ·LDMOS的全电流公式 | 第53-54页 |
| ·LDMOS导通电阻的解析模型 | 第54-63页 |
| ·沟道区的线性电阻 | 第54-55页 |
| ·高阻漂移区电阻 | 第55-60页 |
| ·具有电流集边效应的体电阻 | 第60-61页 |
| ·高阻漂移区总电阻 | 第61-63页 |
| ·LDMOS电容的分析和计算 | 第63-73页 |
| ·MOS和LDMOS器件电容的比较 | 第63-65页 |
| ·LDMOS的栅源电容 | 第65-68页 |
| ·LDMOS的栅漏电容 | 第68-70页 |
| ·LDMOS的漏源电容 | 第70-71页 |
| ·结构和工艺参数对栅漏电容的影响 | 第71-73页 |
| ·本章小结 | 第73-74页 |
| 参考文献 | 第74-77页 |
| 第四章 LDMOS的可靠性研究 | 第77-105页 |
| ·LDMOS击穿电压分析 | 第77-82页 |
| ·有场极板的LDMOS的击穿电压原理 | 第77-78页 |
| ·无穷大场极板的击穿电压 | 第78-81页 |
| ·有限场极板的情况 | 第81-82页 |
| ·LDMOS的宏模型 | 第82-94页 |
| ·V_(DS)-R特性的数值模拟和分析 | 第83-87页 |
| ·LDMOS宏模型的建立 | 第87-88页 |
| ·LDMOS宏模型的应用 | 第88-91页 |
| ·LDMOS本征功耗的计算 | 第91-94页 |
| ·LDMOS安全工作区 | 第94-102页 |
| ·LDMOS的短期SOA | 第95-101页 |
| ·LDMOS的长期SOA | 第101-102页 |
| ·本章小结 | 第102-103页 |
| 参考文献 | 第103-105页 |
| 第五章 LDMOS温度特性的研究 | 第105-131页 |
| ·阈值电压温度系数的研究 | 第105-113页 |
| ·LDMOS的表面势与温度的关系 | 第106-108页 |
| ·LDMOS阈值电压的温度系数 | 第108-110页 |
| ·计算结果对比 | 第110-112页 |
| ·LDMOS阈值电压温度系数的讨论 | 第112-113页 |
| ·迁移率的温度特性 | 第113-114页 |
| ·饱和电流的温度特性 | 第114-117页 |
| ·泄漏电流的温度特性 | 第117-120页 |
| ·导通电阻的温度特性 | 第120-126页 |
| ·LDMOS的高温等效电路模型 | 第120-122页 |
| ·等效电路模型参数与温度的关系 | 第122-123页 |
| ·LDMOS导通电阻和温度的关系 | 第123-126页 |
| ·击穿电压的温度特性 | 第126-128页 |
| ·本章小结 | 第128-129页 |
| 参考文献 | 第129-131页 |
| 第六章 总结与展望 | 第131-133页 |
| 插图清单 | 第133-137页 |
| 表格清单 | 第137-138页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文及参加科研工作情况 | 第138-139页 |
| 致谢 | 第139页 |
