| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-10页 |
| 目录 | 第10-17页 |
| 第1章 绪言 | 第17-41页 |
| ·功率集成电路 | 第17-18页 |
| ·功率器件 | 第18-19页 |
| ·LDMOS概述 | 第19-23页 |
| ·功率LDMOS的应用 | 第20-21页 |
| ·LDMOS的特点与结构 | 第21-22页 |
| ·LDMOS的研究现状 | 第22-23页 |
| ·应用于LDMOS结构中的新技术 | 第23-35页 |
| ·栅工程 | 第24-27页 |
| ·沟道工程和改进的RESURF技术 | 第27-31页 |
| ·其它终端技术 | 第31-33页 |
| ·SOI和P埋层 | 第33-35页 |
| ·本课题的研究意义、任务和所做的工作 | 第35-41页 |
| 第2章 复合栅LDMOS器件沟道电势分布及阈值电压模型 | 第41-59页 |
| ·复合栅LDMOS的结构与沟道电势分布模型 | 第42-49页 |
| ·工艺实现 | 第42-43页 |
| ·复合栅LDMOS的结构 | 第43-45页 |
| ·复合栅LDMOS沟道电势分布模型 | 第45-49页 |
| ·复合栅LDMOS阈值电压模型 | 第49-52页 |
| ·表面电势分析与阈值电压定义 | 第49-51页 |
| ·复合栅LDMOS阈值电压的建模 | 第51-52页 |
| ·器件模拟与模型验证 | 第52-57页 |
| ·本章小结 | 第57-59页 |
| 第3章 复合栅LDMOS沟道电流解析模型 | 第59-83页 |
| ·基于扩展的漂移—扩散方程的复合栅LDMOS电流方程 | 第60-66页 |
| ·复合栅LDMOS沟道区的电荷平衡 | 第60-61页 |
| ·复合栅LDMOS电流特性 | 第61-64页 |
| ·复合栅LDMOS沟道导通态表面电势分布 | 第64-66页 |
| ·模型计算和分析 | 第66-71页 |
| ·载流子速度过冲效应 | 第71-81页 |
| ·源端的弱强阶梯电场近似模型 | 第74-77页 |
| ·复合双栅界面处的速度过冲模型 | 第77-81页 |
| ·本章小结 | 第81-83页 |
| 第4章 基于电荷分享的RESURF原理和拐角电场分析 | 第83-111页 |
| ·Single-RESURF原理 | 第83-100页 |
| ·Single-RESURF结构的电荷平衡 | 第84-85页 |
| ·基于电荷分享的Single-RESURF原理 | 第85-87页 |
| ·拐角电场的研究 | 第87-93页 |
| ·电荷分享因子和横向有效空间电荷 | 第93-96页 |
| ·横向有效空间电荷与击穿电压 | 第96-99页 |
| ·参数η(BV_(latj))和γ(BV_(latj))分析 | 第99-100页 |
| ·Double-RESURF原理 | 第100-105页 |
| ·Double-RESURF结构的电荷平衡 | 第100-102页 |
| ·基于电荷分享的Double-RESURF原理 | 第102-105页 |
| ·计算结果与分析 | 第105-110页 |
| ·本章小结 | 第110-111页 |
| 第5章 多阶梯场极板RESURF LDMOS漂移区表面电场解析模型 | 第111-137页 |
| ·几种结构的漂移区表面电场建模 | 第112-127页 |
| ·Double-RESURF LDMOS结构 | 第112-118页 |
| ·多阶梯场极板参数的优化 | 第118-125页 |
| ·多阶梯场极板Double-RESURF LDMOS结构 | 第125-127页 |
| ·计算结果与讨论 | 第127-136页 |
| ·本章小结 | 第136-137页 |
| 第6章 总结与展望 | 第137-143页 |
| ·本文研究的主要内容和创新点 | 第137-139页 |
| ·进一步的研究工作 | 第139-143页 |
| 参考文献 | 第143-153页 |
| 攻读博士学位期间发表的论文 | 第153-154页 |
| 攻读博士学位期间参加的科研项目 | 第154-155页 |
| 致谢 | 第155页 |
