面向化学机械抛光的成品率驱动的布线算法研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-11页 |
| 第1章 引言 | 第11-27页 |
| ·集成电路设计自动化 | 第11-14页 |
| ·概述 | 第11-12页 |
| ·芯片设计流程 | 第12-14页 |
| ·集成电路布线 | 第14-16页 |
| ·纳米工艺带来的新问题 | 第16-19页 |
| ·集成电路制造带来的问题 | 第16-17页 |
| ·成品率问题 | 第17-19页 |
| ·对布线算法的影响 | 第19页 |
| ·成品率驱动的布线算法 | 第19-23页 |
| ·研究现状 | 第19-21页 |
| ·考虑化学机械抛光成品率的布线算法 | 第21-23页 |
| ·论文主要工作与结构组织 | 第23-27页 |
| ·论文工作主要内容 | 第23-25页 |
| ·论文结构及研究思路 | 第25-27页 |
| 第2章 布线与化学机械抛光模型 | 第27-42页 |
| ·布线模型 | 第27-34页 |
| ·布线问题 | 第27-28页 |
| ·布线方法 | 第28-30页 |
| ·互连优化 | 第30-34页 |
| ·化学机械抛光模型 | 第34-41页 |
| ·铝工艺下的化学机械抛光模型 | 第34-36页 |
| ·铜工艺下的化学机械抛光模型 | 第36-39页 |
| ·冗余金属填充 | 第39-41页 |
| ·本章小结 | 第41-42页 |
| 第3章 化学机械抛光成品率驱动的布线系统 | 第42-56页 |
| ·研究背景 | 第42-43页 |
| ·电镀（ECP）模型和CMP 模型 | 第43-45页 |
| ·W 形状多级布线流程概述 | 第45-46页 |
| ·预布线阶段 | 第46-47页 |
| ·V1 布线阶段 | 第47-48页 |
| ·第一次粒度粗化阶段 | 第47页 |
| ·第一次粒度细化阶段 | 第47-48页 |
| ·层分配 | 第48-51页 |
| ·动机 | 第48-49页 |
| ·问题描述 | 第49-50页 |
| ·基于快速模拟退火的层分配算法 | 第50-51页 |
| ·V2 布线阶段 | 第51-52页 |
| ·第二次粒度粗化阶段 | 第51-52页 |
| ·第二次粒度细化阶段 | 第52页 |
| ·实验结果 | 第52-54页 |
| ·本章小结 | 第54-56页 |
| 第4章 考虑化学机械抛光影响的缓冲器插入算法 | 第56-83页 |
| ·考虑ILD CMP 的缓冲器插入算法 | 第56-65页 |
| ·研究背景 | 第56-58页 |
| ·ILD CMP 模型 | 第58-59页 |
| ·算法介绍 | 第59-62页 |
| ·实验结果与分析 | 第62-65页 |
| ·本节小结 | 第65页 |
| ·考虑金属填充影响的缓冲器插入算法 | 第65-81页 |
| ·研究背景 | 第65-66页 |
| ·后处理阶段的CMP 金属填充 | 第66-67页 |
| ·在布线中考虑金属填充的缓冲器插入 | 第67-79页 |
| ·实验结果 | 第79-81页 |
| ·本节小结 | 第81页 |
| ·本章小结 | 第81-83页 |
| 第5章 考虑性能优化的冗余金属填充算法 | 第83-94页 |
| ·研究背景 | 第83-84页 |
| ·冗余金属填充概述 | 第84页 |
| ·考虑性能优化的冗余金属填充算法问题描述 | 第84-85页 |
| ·确定填充区域的扫描线算法 | 第85-87页 |
| ·减小耦合电容影响的冗余金属填充 | 第87-92页 |
| ·考虑关键线网的填充数量分配 | 第87-89页 |
| ·解析式的沙漏模型填充算法 | 第89-92页 |
| ·实验结果 | 第92-93页 |
| ·本章小结 | 第93-94页 |
| 第6章 结论与展望 | 第94-97页 |
| ·全文的总结 | 第94-95页 |
| ·今后工作的展望 | 第95-97页 |
| 参考文献 | 第97-106页 |
| 致谢 | 第106-107页 |
| 个人简历、在学期间发表的学术论文与研究成果 | 第107-108页 |
