| 摘要 | 第4-5页 |
| abstract | 第5页 |
| 第一章 绪论 | 第8-14页 |
| 1.1 集成电路的发展趋势 | 第8-10页 |
| 1.2 阻挡层化学机械平坦化(CMP)技术介绍 | 第10-11页 |
| 1.3 低磨料阻挡层抛光液研究的必要性 | 第11-12页 |
| 1.4 低磨料碱性阻挡层抛光液国内外研究现状 | 第12-13页 |
| 1.5 论文研究内容 | 第13-14页 |
| 第二章 阻挡层CMP实验设备及碱性阻挡层抛光液各组分介绍 | 第14-25页 |
| 2.1 实验抛光设备介绍 | 第14-16页 |
| 2.1.1 AlpsitecE460E型轨道式抛光机 | 第14-15页 |
| 2.1.2 Rohm&HaasIC1000抛光垫 | 第15页 |
| 2.1.3 SMIC300mm布线片和3inchTa、Cu、TEOS高纯片 | 第15-16页 |
| 2.2 实验检测设备介绍 | 第16-22页 |
| 2.2.1 MettlerToledoAB204-N电子分析天平 | 第17页 |
| 2.2.2 AMBIOSXP-300台阶仪 | 第17-18页 |
| 2.2.3 AgilentB1500A半导体器件分析仪 | 第18页 |
| 2.2.4 上海辰华CHI660E电化学工作站 | 第18-20页 |
| 2.2.5 pH计与NDJ-5S型旋转粘度计 | 第20-21页 |
| 2.2.6 Agilent5600LS原子力显微镜 | 第21页 |
| 2.2.7 PSS380ZLS纳米激光粒度仪 | 第21-22页 |
| 2.3 阻挡层抛光液中各组分介绍 | 第22-25页 |
| 2.3.1 纳米级硅溶胶磨料 | 第22页 |
| 2.3.2 FA/O螯合剂 | 第22-23页 |
| 2.3.3 非离子型表面活性剂 | 第23-25页 |
| 第三章 低磨料碱性阻挡层抛光液反应机理的研究 | 第25-35页 |
| 3.1 低磨料碱性阻挡层抛光液的化学作用机理研究 | 第25-29页 |
| 3.1.1 FA/OI型螯合剂对Cu的螯合作用 | 第25-26页 |
| 3.1.2 FA/OI型螯合剂对Ta、TEOS的胺化作用 | 第26-27页 |
| 3.1.3 FA/OI型螯合剂对布线槽Cu的自钝化作用 | 第27-28页 |
| 3.1.4 FA/OII型螯合剂对pH的调节作用 | 第28-29页 |
| 3.2 低磨料碱性阻挡层抛光液的机械作用机理研究 | 第29-34页 |
| 3.2.1 非离子型表面活性剂的滞留层与质量传递作用 | 第29-31页 |
| 3.2.2 非离子型表面活性剂的优先吸附作用 | 第31-33页 |
| 3.2.3 纳米级硅溶胶磨料对材料的研磨作用 | 第33-34页 |
| 3.4 本章小结 | 第34-35页 |
| 第四章 低磨料阻挡层抛光液研究难度与实验方法分析 | 第35-38页 |
| 4.1 低磨料阻挡层抛光液研究难度分析 | 第35页 |
| 4.2 低磨料阻挡层抛光液研究的实验方法分析 | 第35-37页 |
| 4.2.1 磨料粒径在阻挡层CMP过程中对机械作用的影响 | 第35-36页 |
| 4.2.2 FA/O型螯合剂在阻挡层CMP过程中对化学作用的影响 | 第36-37页 |
| 4.2.3 盐酸胍在阻挡层CMP过程中对化学作用的影响 | 第37页 |
| 4.3 本章小结 | 第37-38页 |
| 第五章 低磨料碱性阻挡层抛光液的实验研究与性能评估 | 第38-45页 |
| 5.1 磨料粒径对阻挡层CMP的影响研究 | 第38-39页 |
| 5.2 FA/OI型螯合剂对阻挡层CMP的影响研究 | 第39页 |
| 5.3 盐酸胍对阻挡层CMP的影响研究 | 第39-40页 |
| 5.4 低磨料碱性阻挡层抛光液性能评估 | 第40-44页 |
| 5.4.1 Cu、TEOS去除速率的评估 | 第41页 |
| 5.4.2 碟形坑、蚀坑修正能力评估 | 第41-42页 |
| 5.4.3 电参数布线槽电阻Rs评估 | 第42-43页 |
| 5.4.4 晶圆表面粗糙度Ra评估 | 第43-44页 |
| 5.5 本章小结 | 第44-45页 |
| 第六章 结论 | 第45-46页 |
| 6.1 全文总结 | 第45页 |
| 6.2 展望 | 第45-46页 |
| 参考文献 | 第46-52页 |
| 攻读学位期间所取得的相关科研成果 | 第52-54页 |
| 致谢 | 第54页 |
