TSV热应力对电路静态时序的影响的研究
摘要 | 第6-8页 |
ABSTRACT | 第8-9页 |
符号对照表 | 第13-14页 |
缩略语对照表 | 第14-17页 |
第一章 绪论 | 第17-25页 |
1.1 集成电路概述 | 第17-20页 |
1.1.1 集成电路的发展 | 第17-18页 |
1.1.2 集成电路发展的瓶颈 | 第18-20页 |
1.2 三维集成技术 | 第20-22页 |
1.3 三维集成可靠性及其对时序影响 | 第22-24页 |
1.3.1 三维集成的可靠性 | 第22页 |
1.3.2 可靠性问题对电路时序的影响 | 第22-24页 |
1.4 论文主要工作与结构 | 第24-25页 |
第二章 热应力基础理论与分析 | 第25-35页 |
2.1 热应力基本概念 | 第25页 |
2.2 TSV中热应力的产生 | 第25-26页 |
2.3 热应力带来的影响 | 第26-27页 |
2.3.1 热应力对可靠性的影响 | 第26页 |
2.3.2 热应力对器件性能影响 | 第26-27页 |
2.4 TSV热应力分析方法 | 第27-33页 |
2.4.1 有限元分析法 | 第28-29页 |
2.4.2 解析法 | 第29-33页 |
2.5 热应力分析软件简介 | 第33-34页 |
2.6 本章小结 | 第34-35页 |
第三章 TSV热应力对器件迁移率的影响 | 第35-53页 |
3.1 圆柱形TSV的热应力分布 | 第35-38页 |
3.2 单个TSV热应力对器件迁移率影响 | 第38-44页 |
3.2.1 热应力对[100]沟道器件迁移率影响 | 第41-42页 |
3.2.2 热应力对[110]沟道器件迁移率影响 | 第42-44页 |
3.3 TSV结构变化对迁移率影响 | 第44-47页 |
3.3.1 铜半径对器件迁移率的影响 | 第44-45页 |
3.3.2 氧化层厚度对迁移率的影响 | 第45-47页 |
3.4 两个TSV热应力对器件迁移率影响 | 第47-51页 |
3.4.1 线性叠加原理 | 第47页 |
3.4.2 两个TSV情况下器件的迁移率变化 | 第47-49页 |
3.4.3 TSV间距对器件迁移率的影响 | 第49-51页 |
3.5 本章小结 | 第51-53页 |
第四章 TSV热应力对电路时序的影响及优化 | 第53-75页 |
4.1 TSV电学参数提取 | 第53-58页 |
4.1.1 等效电阻 | 第55页 |
4.1.2 等效电容 | 第55-58页 |
4.1.3 等效电感 | 第58页 |
4.2 TSV热应力对反相器延时影响 | 第58-64页 |
4.2.1 反相器的传播延时 | 第59-60页 |
4.2.2 热应力影响空穴迁移率时的延时变化 | 第60-62页 |
4.2.3 热应力影响电子迁移率时的延时变化 | 第62-63页 |
4.2.4 热应力对反相器总延时影响 | 第63-64页 |
4.3 TSV热应力对电路延时的影响 | 第64-70页 |
4.3.1 时钟树简介 | 第64-66页 |
4.3.2 TSV结构对时钟树电路时序的影响 | 第66-68页 |
4.3.3 TSV热应力对时钟树电路时序的影响 | 第68-70页 |
4.4 TSV热应力对电路延时影响的优化 | 第70-73页 |
4.5 本章小结 | 第73-75页 |
第五章 总结与展望 | 第75-79页 |
5.1 本文总结 | 第75-76页 |
5.2 未来展望 | 第76-79页 |
参考文献 | 第79-83页 |
致谢 | 第83-85页 |
作者简介 | 第85-86页 |