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系统级封装多层堆叠键合技术研究

摘要第4-6页
Abstract第6-7页
目录第8-9页
1. 绪论第9-23页
    1.1 三维系统级封装技术第9-13页
    1.2 三维封装关键技术-键合第13-18页
    1.3 Cu-Sn 低温键合第18-19页
    1.4 3D-TSV 多芯片堆叠技术第19-21页
    1.5 课题来源以及本文研究内容第21-23页
2. Cu-Sn 低温键合技术第23-32页
    2.1 Cu-Sn 低温键合原理第23-24页
    2.2 Cu-Sn 低温键合工艺优化第24-31页
    2.3 本章小结第31-32页
3. 多层堆叠键合试验研究第32-44页
    3.1 不含 TSV 芯片样品键合第32-35页
        3.1.1 不含 TSV 芯片样品制备第32-34页
        3.1.2 不含 TSV 芯片键合实验第34-35页
    3.2 含 TSV 芯片样品键合第35-43页
        3.2.1 样品制备第35-38页
        3.2.2 多层堆叠键合试验第38-40页
        3.2.3 堆叠样品测试第40-43页
    3.3 本章小结第43-44页
4. 多芯片对准技术第44-52页
    4.1 技术原理第44-45页
    4.2 结构设计第45-46页
    4.3 实验验证第46-49页
    4.4 对准精度分析第49-51页
    4.5 本章小结第51-52页
5. 总结与展望第52-54页
    5.1 全文总结第52-53页
    5.2 今后研究工作建议和展望第53-54页
致谢第54-55页
参考文献第55-59页
附录 攻读硕士学位期间发表的论文及专利第59页

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