基于忆阻器件的模数转换器的设计
摘要 | 第5-6页 |
ABSTRACT | 第6页 |
第一章 绪论 | 第9-15页 |
1.1 研究工作的背景与意义 | 第9-11页 |
1.2 国内外研究历史与现状 | 第11-13页 |
1.3 本论文的主要贡献与创新 | 第13页 |
1.4 本论文的结构安排 | 第13-15页 |
第二章 忆阻器件理论 | 第15-26页 |
2.1 忆阻器件的基本概念 | 第15-16页 |
2.2 忆阻器件的工作原理 | 第16-20页 |
2.2.1 非线性忆阻器件的电流电压特性 | 第16-18页 |
2.2.2 线性忆阻器件的电流电压特性 | 第18-20页 |
2.3 忆阻器件的阻态转换机理 | 第20-23页 |
2.4 忆阻器件的材料体系 | 第23-24页 |
2.5 忆阻器件的应用 | 第24-25页 |
2.6 本章小结 | 第25-26页 |
第三章 基于HfO2的忆阻器件表征 | 第26-31页 |
3.1 电压编程 | 第26-27页 |
3.2 电流编程 | 第27-28页 |
3.3 多位存储性能 | 第28-30页 |
3.3.1 器件面积对阻态的影响 | 第28-29页 |
3.3.2 读值稳定性 | 第29页 |
3.3.3 可擦写次数与数据保持时长 | 第29-30页 |
3.4 本章小结 | 第30-31页 |
第四章 基于忆阻器件的ADC设计 | 第31-48页 |
4.1 模数转换器简介 | 第31-34页 |
4.1.1 Flash ADC | 第31-32页 |
4.1.2 Sigma- Delta ADC | 第32-33页 |
4.1.3 流水线型(Pipeline)ADC | 第33-34页 |
4.1.4 逐次逼近型(SAR)ADC | 第34页 |
4.2 基于双极型忆阻器件的并行ADC设计 | 第34-40页 |
4.2.1 状态存储单元的工作原理 | 第36-37页 |
4.2.2 电路的工作原理 | 第37-40页 |
4.3 基于频率比较器的并行ADC设计 | 第40-44页 |
4.4 基于线性忆阻器件的串行ADC设计 | 第44-47页 |
4.5 本章小结 | 第47-48页 |
第五章 电路的仿真 | 第48-59页 |
5.1 忆阻器件的SPICE建模 | 第48-50页 |
5.2 基于双极型忆阻器件的并行ADC仿真 | 第50-52页 |
5.3 基于频率比较器的并行ADC仿真 | 第52-55页 |
5.4 基于线性忆阻器件的串行ADC输出结果 | 第55-58页 |
5.5 本章小结 | 第58-59页 |
第六章 总结与展望 | 第59-61页 |
致谢 | 第61-62页 |
参考文献 | 第62-66页 |
攻硕期间取得的研究成果 | 第66-67页 |