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基于忆阻器件的模数转换器的设计

摘要第5-6页
ABSTRACT第6页
第一章 绪论第9-15页
    1.1 研究工作的背景与意义第9-11页
    1.2 国内外研究历史与现状第11-13页
    1.3 本论文的主要贡献与创新第13页
    1.4 本论文的结构安排第13-15页
第二章 忆阻器件理论第15-26页
    2.1 忆阻器件的基本概念第15-16页
    2.2 忆阻器件的工作原理第16-20页
        2.2.1 非线性忆阻器件的电流电压特性第16-18页
        2.2.2 线性忆阻器件的电流电压特性第18-20页
    2.3 忆阻器件的阻态转换机理第20-23页
    2.4 忆阻器件的材料体系第23-24页
    2.5 忆阻器件的应用第24-25页
    2.6 本章小结第25-26页
第三章 基于HfO2的忆阻器件表征第26-31页
    3.1 电压编程第26-27页
    3.2 电流编程第27-28页
    3.3 多位存储性能第28-30页
        3.3.1 器件面积对阻态的影响第28-29页
        3.3.2 读值稳定性第29页
        3.3.3 可擦写次数与数据保持时长第29-30页
    3.4 本章小结第30-31页
第四章 基于忆阻器件的ADC设计第31-48页
    4.1 模数转换器简介第31-34页
        4.1.1 Flash ADC第31-32页
        4.1.2 Sigma- Delta ADC第32-33页
        4.1.3 流水线型(Pipeline)ADC第33-34页
        4.1.4 逐次逼近型(SAR)ADC第34页
    4.2 基于双极型忆阻器件的并行ADC设计第34-40页
        4.2.1 状态存储单元的工作原理第36-37页
        4.2.2 电路的工作原理第37-40页
    4.3 基于频率比较器的并行ADC设计第40-44页
    4.4 基于线性忆阻器件的串行ADC设计第44-47页
    4.5 本章小结第47-48页
第五章 电路的仿真第48-59页
    5.1 忆阻器件的SPICE建模第48-50页
    5.2 基于双极型忆阻器件的并行ADC仿真第50-52页
    5.3 基于频率比较器的并行ADC仿真第52-55页
    5.4 基于线性忆阻器件的串行ADC输出结果第55-58页
    5.5 本章小结第58-59页
第六章 总结与展望第59-61页
致谢第61-62页
参考文献第62-66页
攻硕期间取得的研究成果第66-67页

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