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基于临时键合拿持技术的硅通转接板背面工艺优化研究

摘要第5-6页
Abstract第6页
第一章 绪论第9-21页
    1.1 研究背景与意义第9-14页
    1.2 本课题的研究进展第14-19页
    1.3 本课题主要研究内容第19-21页
第二章 薄晶圆拿持技术以及硅转接板背面工艺研究第21-31页
    2.1 薄晶圆拿持技术第21-27页
        2.1.1 热滑移(Thermal slide)方法第24页
        2.1.2 紫外光剥离方法第24-25页
        2.1.3 湿法溶解方法第25页
        2.1.4 叠层胶体纵向分离方法第25-26页
        2.1.5 区域键合(ZoneBOND)方法第26-27页
        2.1.6 激光解键合方法第27页
    2.2 硅转接板背面工艺简介第27-30页
    2.3 本章小结第30-31页
第三章 硅转接板临时键合与拆键合工艺研究第31-51页
    3.1 Thermal slide和ZoneBOND工艺验证第31-37页
    3.2 激光拆键合工艺研究第37-49页
        3.2.1 激光拆键合的原理分析第38-42页
        3.2.2 激光拆键合设备构建第42-45页
        3.2.3 激光拆键合工艺研究第45-49页
    3.3 本章小结第49-51页
第四章 硅转接板背面工艺优化方案设计与验证第51-65页
    4.1 晶圆减薄工艺优化第51-55页
        4.1.1 研磨抛光工艺第52-55页
    4.2 晶圆背面漏孔工艺优化第55-59页
        4.2.1 干法刻蚀工艺第56-58页
        4.2.2 湿法刻蚀工艺第58-59页
    4.3 PI钝化工艺优化第59-61页
    4.4 拆键合工艺验证第61-63页
    4.5 本章小结第63-65页
第五章 结论及展望第65-67页
    5.1 研究内容总结第65页
    5.2 未来工作展望第65-67页
参考文献第67-71页
致谢第71-73页
在学期间发表的论文与研究成果第73-74页

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