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砷化镓高速专用集成电路设计

第一章 绪论第1-14页
 1. 1 GaAs集成电路的发展第9-10页
 1. 2 GaAs集成电路的发展现状第10-11页
 1. 3 GaAs单片集成电路与分立电路的比较第11-12页
 1. 4 论文的主要工作第12-14页
第二章 GaAs集成电路技术第14-31页
 2. 1 有源器件第14-18页
  2. 1. 1 异质结有源器件第14页
  2. 1. 2 MESFET结构和特性第14-17页
  2. 1. 3 频率特性第17-18页
 2. 2 无源元件及制造技术第18-26页
  2. 2. 1 电容第18-21页
  2. 2. 2 电感第21-26页
 2. 3 砷化镓集成电路工艺流程第26-31页
  2. 3. 1 台面挖槽器件工艺流程第27页
  2. 3. 2 用于数字电路的难熔栅FET的制作工艺第27-28页
  2. 3. 3 微波集成电路工艺流程第28-29页
  2. 3. 4 GaAs数字集成电路工艺流程第29-31页
第三章 GaAs数字电路设计理论第31-39页
 3. 1 BFL单元第31-35页
  3. 1. 1 电路形式第31-32页
  3. 1. 2 电路传输特性分析第32-34页
  3. 1. 3 考虑其他参数时电路特性的变化第34-35页
 3. 2 SDFL单元第35-37页
 3. 3 DCFL单元第37页
 3. 4 小结第37-39页
第四章 GaAs射频开关设计及分频器设计第39-58页
 4. 1 GaAs FET开关第39-45页
 4. 2 各种形式的FET开关及设计方法第45-50页
  4. 2. 1 各种设计形式的射频开关第45-49页
  4. 2. 2 小结第49-50页
 4. 3 GaAs分频器的设计第50-56页
  4. 3. 1 电路分析第50-54页
  4. 3. 2 仿真结果第54-56页
 4. 3 小结第56-58页
第五章 结束语第58-59页
致谢第59-60页
参考文献第60-64页
攻读硕士期间参加的科研项目和完成的学术论文第64页

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