| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-7页 |
| 第一章 文献综述 | 第7-16页 |
| ·铜互连工艺概述 | 第7-11页 |
| ·铜接触工艺研究现状 | 第11-15页 |
| ·本论文研究内容 | 第15-16页 |
| 第二章 样品结构的制备和测试方法 | 第16-21页 |
| ·样品的制备 | 第16-17页 |
| ·测试方法 | 第17-21页 |
| ·XRD分析 | 第17-18页 |
| ·SEM分析 | 第18-19页 |
| ·XPS分析 | 第19页 |
| ·TEM分析 | 第19页 |
| ·电学测试 | 第19-21页 |
| 第三章 超薄Ru/TaN扩散阻挡层的热稳定性研究 | 第21-34页 |
| ·引言 | 第21-24页 |
| ·超薄Ru/TaN在NiSi衬底上的反应特性研究 | 第24-29页 |
| ·超薄Ru/TaN在NiSi衬底上的电学特性研究 | 第29-33页 |
| ·小结 | 第33-34页 |
| 第四章 Ru/TaSiN扩散阻挡层用于铜接触结构的性能研究 | 第34-49页 |
| ·引言 | 第34页 |
| ·样品的设计与制备 | 第34-36页 |
| ·Cu/Ru/TaN/NiSi和Cu/Ru/TaN/Si体系的反应特性研究 | 第36-40页 |
| ·Cu/Ru(5nm)/TaN(10nm)/NiSi(Si)体系的热稳定性研究 | 第36-38页 |
| ·Cu/Ru(5nm)/TaN(10nm)在NiSi和Si衬底上的扩散激活能 | 第38-40页 |
| ·Cu/Ru(5nm)/TaSiN(10nm)在NiSi衬底和在Si衬底上的反应特性研究 | 第40-48页 |
| ·Cu/Ru(5nm)/TaSiN(10nm)在NiSi衬底上和在Si衬底上的热稳定性研究 | 第40-44页 |
| ·Cu/Ru(5nm)/TaSiN(10nm)/NiSi体系扩散激活能提取 | 第44-45页 |
| ·Cu/Ru/TaN/NiSi体系失效原因和Cu/Ru/TaSiN/NiSi体系优越性能的原因讨论 | 第45-48页 |
| ·小结 | 第48-49页 |
| 第五章 TaSiN的制备工艺对其热稳定性的影响 | 第49-71页 |
| ·引言 | 第49页 |
| ·实验 | 第49-50页 |
| ·不同Ta、Si比例TaSiN薄膜在Cu/Ru/TaSiN/NiSi(Si)体系的热稳定性研究 | 第50-68页 |
| ·Ta:Si淀积功率比为200:200的TaSiN薄膜 | 第51-56页 |
| ·Ta:Si淀积功率比选择为200:100的TaSiN薄膜 | 第56-59页 |
| ·Ta:Si淀积功率比选择为170:200的TaSiN薄膜 | 第59-61页 |
| ·Ta:Si淀积功率比选择为200:180的TaSiN薄膜 | 第61-62页 |
| ·Ru/TaSiN在Cu接触结构中的电学特性研究 | 第62-66页 |
| ·综合结果比较 | 第66-68页 |
| ·不同厚度薄膜在Cu/Ru/TaSiN/NiSi和Cu/Ru/TaSiN/Si体系的热稳定性研究 | 第68-70页 |
| ·小结 | 第70-71页 |
| 第六章 全文总结和展望 | 第71-73页 |
| ·全文总结 | 第71页 |
| ·需要解决的问题 | 第71-73页 |
| 参考文献 | 第73-79页 |
| 致谢 | 第79-80页 |
| 硕士期间发表的相关论文 | 第80-81页 |
