摘要 | 第1-7页 |
Abstract | 第7-9页 |
目录 | 第9-12页 |
第一章 绪论 | 第12-14页 |
第二章 文献综述—ZnO薄膜及其材料与器件的随机激射研究现状与进展 | 第14-34页 |
·引言 | 第14页 |
·ZnO的基本性质 | 第14-20页 |
·ZnO的晶体结构 | 第15-17页 |
·ZnO的能带结构 | 第17-18页 |
·ZnO的电学特性 | 第18-19页 |
·ZnO的光学特性 | 第19页 |
·ZnO的其他特性 | 第19-20页 |
·ZnO薄膜的制备方法 | 第20-22页 |
·脉冲激光沉积法 | 第20-21页 |
·溅射法 | 第21页 |
·溶胶凝胶法 | 第21页 |
·化学气相沉积法 | 第21-22页 |
·分子束外延生长法 | 第22页 |
·ZnO随机激射 | 第22-32页 |
·随机激射的特性概述 | 第22-24页 |
·ZnO光抽运随机激光 | 第24-26页 |
·ZnO电抽运随机激射器件 | 第26-32页 |
·小结 | 第32-34页 |
第三章 材料制备技术与测试方法 | 第34-38页 |
·脉冲激光沉积制备技术 | 第34-35页 |
·脉冲激光沉积制备技术原理 | 第34-35页 |
·脉冲激光沉积设备 | 第35页 |
·其他材料与器件制备技术 | 第35-36页 |
·直流反应磁控溅射设备 | 第35页 |
·射频反应磁控溅射设备 | 第35-36页 |
·材料热处理设备 | 第36页 |
·旋涂设备 | 第36页 |
·材料、器件测试设备 | 第36-38页 |
·扫描电子显微镜 | 第36页 |
·X射线衍射仪 | 第36页 |
·X射线光电子能谱仪 | 第36-37页 |
·光吸收谱测量仪 | 第37页 |
·室温光致发光/电致发光测试系统 | 第37-38页 |
第四章 PLD法工艺参数对ZnO薄膜及其器件电抽运随机激射的影响 | 第38-52页 |
·引言 | 第38页 |
·MIS器件结构与制备 | 第38-39页 |
·激光波长对ZnO薄膜形貌的影响 | 第39-41页 |
·衬底温度对ZnO薄膜形貌结构和发光性能的影响 | 第41-46页 |
·不同衬底温度对ZnO薄膜形貌的影响 | 第41-43页 |
·不同衬底温度对ZnO薄膜结构的影响 | 第43-44页 |
·不同衬底温度对ZnO薄膜室温光致发光的影响 | 第44-45页 |
·不同衬底温度对ZnO薄膜为发光层的MIS器件电致发光性能的影响 | 第45-46页 |
·氧分压对ZnO薄膜发光性能的影响 | 第46-50页 |
·不同氧分压对ZnO薄膜室温光致发光性能的影响 | 第46-48页 |
·不同氧分压对ZnO薄膜为发光层的MIS器件电致发光性能的影响 | 第48-50页 |
·总结 | 第50-52页 |
第五章 不同方法制备ZnO薄膜及其对ZnO器件电抽运随机激射的影响 | 第52-62页 |
·引言 | 第52页 |
·MIS器件结构与制备 | 第52-53页 |
·ZnO薄膜表征 | 第53-56页 |
·ZnO薄膜形貌 | 第53-54页 |
·ZnO薄膜结构 | 第54-55页 |
·ZnO薄膜室温光致发光 | 第55-56页 |
·ZnO的MIS器件电致发光 | 第56-58页 |
·ZnO-MIS器件的室温EL谱 | 第56-57页 |
·ZnO-MIS器件的光功率 | 第57-58页 |
·ZnO-MIS器件产生受激辐射的物理机制 | 第58-59页 |
·以不同方法制备的ZnO薄膜为发光层的MIS结构器件电抽运随机激射性能分析 | 第59-60页 |
·小结 | 第60-62页 |
第六章 PLD法制备绝缘体薄膜及其在ZnO电抽运随机激射器件中的应用 | 第62-76页 |
·引言 | 第62-63页 |
·MIS器件结构与制备 | 第63-71页 |
·Si_3N_4薄膜表征 | 第64-66页 |
·Si_3N_4对ZnO薄膜紫外室温光致发光的增强作用 | 第66-68页 |
·ZnO(直流反应溅射)/Si_3N_4/Au器件的电抽运随机激射 | 第68-70页 |
·ZnO(PLD)/Si_3N_4/Au器件的电抽运随机激射 | 第70-71页 |
·PLD法制备MgO薄膜及其在ZnO电抽运随机激射器件中的应用 | 第71-74页 |
·ZnO(直流反应溅射)/MgO/Au器件的电抽运随机激射 | 第71-73页 |
·ZnO(PLD)/MgO/Au器件的电抽运随机激射 | 第73-74页 |
·小结 | 第74-76页 |
第七章 总结 | 第76-78页 |
参考文献 | 第78-86页 |
致谢 | 第86-88页 |
个人简历 | 第88-90页 |
攻读学位期间发表的学术论文 | 第90页 |