| 摘要 | 第1-9页 |
| Abstract | 第9-16页 |
| 第一章 绪论 | 第16-28页 |
| ·研究背景 | 第16-18页 |
| ·发展动态分析 | 第18-23页 |
| ·国外研究现状 | 第18-22页 |
| ·国内研究现状 | 第22-23页 |
| ·论文的选题与意义 | 第23-24页 |
| ·本文研究内容与结构 | 第24-25页 |
| 本章参考文献 | 第25-28页 |
| 第二章 40nm CMOS互连工艺与寄生效应分析 | 第28-47页 |
| ·铜互连线寄生电容、电阻分析 | 第28-33页 |
| ·CMOS的互连工艺剖面 | 第33-39页 |
| ·铜互连工艺流程示例 | 第33-39页 |
| ·多层互连工艺对寄生电阻电容数值的影响 | 第39-44页 |
| ·光刻工艺对工艺参数的影响 | 第39-40页 |
| ·CMP工艺对互连工艺参数的影响 | 第40-42页 |
| ·引入互连线工艺参数涨落的工艺步骤分析 | 第42-44页 |
| 本章小结 | 第44页 |
| 本章参考文献 | 第44-47页 |
| 第三章 互连寄生参数测量结构设计与数值模拟仿真 | 第47-62页 |
| ·寄生参数校验测量结构设计 | 第47-55页 |
| ·金属互连寄生电容测量结构 | 第47-51页 |
| ·金属互连寄生电阻测量结构 | 第51-52页 |
| ·环形振荡器校验电路设计 | 第52-55页 |
| ·Raphael 3D互连寄生仿真 | 第55-60页 |
| 本章小结 | 第60页 |
| 本章参考文献 | 第60-62页 |
| 第四章 典型ITP文件制作与寄生参数提取流程 | 第62-86页 |
| ·传统电路寄生参数提取方法 | 第62-63页 |
| ·寄生参数提取流程通过EDA工具的实现 | 第63-71页 |
| ·典型ITP文件分析与制作 | 第71-78页 |
| ·传统寄生参数提取方法的不足 | 第78-79页 |
| ·优化典型ITP文件提取流程 | 第79-84页 |
| 本章小结 | 第84-85页 |
| 本章参考文献 | 第85-86页 |
| 第五章 工艺参数波动分析与角ITP文件制作 | 第86-100页 |
| ·传统角ITP文件制作流程 | 第86-87页 |
| ·传统角ITP文件制作方法不足 | 第87-89页 |
| ·寄生电容测量结构数据统计分析 | 第89-97页 |
| ·根据测量分布逆推角ITP文件的提取流程 | 第97-98页 |
| 本章小结 | 第98页 |
| 本章参考文献 | 第98-100页 |
| 第六章 考虑寄生电容相关性的工艺波动相关ITP文件制作 | 第100-121页 |
| ·寄生电容测量结构数据相关性分析 | 第100-106页 |
| ·使用主成分分析法对电容相关性进行数据分析 | 第106-109页 |
| ·考虑寄生电容相关性的工艺波动相关ITP文件制作 | 第109-116页 |
| ·STAR RC灵敏度(Sensitivity)工艺波动模型 | 第110-116页 |
| ·最终工艺波动相关ITP流程 | 第116页 |
| ·实验数据的仿真与环振电路布线后仿真结果对照 | 第116-119页 |
| 本章小结 | 第119页 |
| 本章参考文献 | 第119-121页 |
| 第七章 总结和展望 | 第121-124页 |
| ·总结 | 第121-122页 |
| ·展望 | 第122-124页 |
| 附录A 缩略词及专业词汇描述 | 第124-126页 |
| 攻读学位期间发表论文、专利及参与项目情况 | 第126-128页 |
| 致谢 | 第128页 |