关于钴硅化物制程的改良研究
| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 1 绪论 | 第5-10页 |
| ·课题概述 | 第5-9页 |
| ·课题的来源 | 第5页 |
| ·集成电路发展概述 | 第5-8页 |
| ·金属硅化物 | 第8-9页 |
| ·课题的目的和意义 | 第9页 |
| ·金属硅化物的发展及演变 | 第9-10页 |
| ·金属硅化物概述 | 第9页 |
| ·钛硅化物TiSi_2 | 第9-10页 |
| ·钻硅化物CoSi_2 | 第10页 |
| 2 钴硅化物制程 | 第10-14页 |
| ·钴硅化物制程概述 | 第10-12页 |
| ·钴硅化物的晶圆可接受性测试 | 第12-14页 |
| ·什么晶圆可接受性测试 | 第12-13页 |
| ·钴硅化物的WAT测试 | 第13-14页 |
| 3 钴淀积概述 | 第14-22页 |
| ·研究钴淀积的意义 | 第14页 |
| ·溅射概述 | 第14-17页 |
| ·什么是溅射 | 第14页 |
| ·溅射的种类 | 第14-17页 |
| ·钴淀积机台概述 | 第17-19页 |
| ·钴淀积机台各腔体功能概述 | 第19-22页 |
| 4 实验研究 | 第22-36页 |
| ·钴淀积与WAT稳定性改善研究 | 第22-31页 |
| ·整个Lot的钻硅化物电阻偏高现象 | 第22-24页 |
| ·方块电阻以天为单位整体偏低现象 | 第24-29页 |
| ·第一片电阻偏高现象 | 第29-31页 |
| ·钴硅化物对良率的影响 | 第31-36页 |
| ·什么是MBIST失效 | 第31-32页 |
| ·MBIST失效分析 | 第32-33页 |
| ·实验及数据分析 | 第33-35页 |
| ·失效模式分析 | 第35-36页 |
| 5 全文总结与展望 | 第36-39页 |
| ·全文总结 | 第36-37页 |
| ·研究展望 | 第37-39页 |
| 参考文献 | 第39-40页 |
| 致谢 | 第40-41页 |
