| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-12页 |
| ·引言 | 第9-11页 |
| ·本文研究内容 | 第11-12页 |
| 第二章 VLSI技术中的等离子体损伤 | 第12-32页 |
| ·等离子体及其在IC制造中的应用 | 第12-17页 |
| ·薄栅氧化层的失效和击穿 | 第17-23页 |
| ·等离子损伤的危害 | 第23-28页 |
| ·常见的等离子损伤失效机理 | 第28-32页 |
| 第三章 等离子损伤的测试结构及测试方法的研究 | 第32-47页 |
| ·等离子损伤测试结构的研究 | 第32-38页 |
| ·等离子损伤测试方法的研究 | 第38-47页 |
| 第四章 0.18μm CMOS工艺中的各种等离子损伤评估 | 第47-52页 |
| ·多晶硅刻蚀和ILD淀积的损伤 | 第47-48页 |
| ·金属层间介质干法刻蚀的损伤 | 第48-49页 |
| ·金属刻蚀的等离子损伤 | 第49-50页 |
| ·IMD淀积的等离子损伤 | 第50-51页 |
| ·Cover工艺的等离子损伤 | 第51-52页 |
| 第五章 HDP淀积中的PID机理研究及改善 | 第52-64页 |
| ·HDP淀积引入损伤的相关研究 | 第52-53页 |
| ·充电电流极性和损伤位置的讨论 | 第53-56页 |
| ·损伤机理的分析 | 第56-60页 |
| ·实验改进 | 第60-64页 |
| 参考文献 | 第64-68页 |
| 致谢 | 第68-69页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文目录 | 第69页 |