| 摘要 | 第1-8页 |
| Abstract | 第8-12页 |
| 第一章 绪论 | 第12-21页 |
| ·太赫兹(THz)科学技术概述 | 第12-14页 |
| ·太赫兹探测技术的发展 | 第14-18页 |
| ·计算机模拟的发展及其在半导体器件特性研究中的应用 | 第18-19页 |
| ·论文的主要内容和组织结构 | 第19-20页 |
| ·参考文献 | 第20-21页 |
| 第二章 蒙特卡洛(Monte Carlo)模拟方法和载流子的散射机制 | 第21-31页 |
| ·蒙特卡洛模拟方法概述 | 第21-22页 |
| ·半导体输运过程中蒙特卡洛模拟的基本内容 | 第22-23页 |
| ·载流子的散射机制 | 第23-29页 |
| ·参考文献 | 第29-31页 |
| 第三章 Monte Carlo方法模拟太赫兹波段GaAs/AIGaAs量子阱光探测器程序设计 | 第31-42页 |
| ·能带模型 | 第31-32页 |
| ·有效质量模型 | 第32页 |
| ·初始分布模型 | 第32-33页 |
| ·散射模型 | 第33页 |
| ·Monte Carlo模拟程序设计 | 第33-40页 |
| ·本章小结 | 第40页 |
| ·参考文献 | 第40-42页 |
| 第四章 太赫兹波段GaAs/AlGaAs量子阱光探测器电子输运特性研究 | 第42-54页 |
| ·电子浓度分布研究 | 第42-45页 |
| ·电子的漂移速度与温度的关系 | 第45-47页 |
| ·电子的漂移速度与外加电场的关系 | 第47-48页 |
| ·电子的漂移速度大小 | 第48-49页 |
| ·电子迁移率特性 | 第49页 |
| ·瞬态光电流响应特性 | 第49-51页 |
| ·稳态电流与偏置电压的关系特性 | 第51-53页 |
| ·本章小结 | 第53页 |
| ·参考文献 | 第53-54页 |
| 第五章 太赫兹波段GaAs/Al_(0.03)Ga_(0.97)As量子阱探测器性能探讨 | 第54-58页 |
| ·光电导增益特性 | 第54页 |
| ·光电导灵敏度特性 | 第54-55页 |
| ·噪声特性 | 第55-56页 |
| ·响应率特性 | 第56页 |
| ·其他特性 | 第56-57页 |
| ·参考文献 | 第57-58页 |
| 第六章 工作总结与展望 | 第58-60页 |
| ·工作总结 | 第58页 |
| ·存在的问题和今后改进的方案 | 第58-60页 |
| 附录 | 第60-61页 |
| 致谢 | 第61页 |
