HVPE法制备高质量GaN单晶研究
| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 前言 | 第9-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-18页 |
| 1.1 GaN材料简介及发展历程 | 第10-14页 |
| 1.1.1 GaN材料简介 | 第10-11页 |
| 1.1.2 GaN单晶衬底材料的发展历程 | 第11-14页 |
| 1.2 GaN材料的研究意义 | 第14-16页 |
| 1.3 选题依据及本文主要研究内容 | 第16-18页 |
| 1.3.1 选题依据 | 第16-17页 |
| 1.3.2 本文主要研究内容 | 第17-18页 |
| 第二章 GaN材料的生长及表征 | 第18-27页 |
| 2.1 生长方法介绍 | 第18-20页 |
| 2.1.1 本文采用的生长系统 | 第18-19页 |
| 2.1.2 HVPE生长GaN单晶机理 | 第19页 |
| 2.1.3 HVPE生长GaN单晶衬底的工艺流程 | 第19-20页 |
| 2.2 衬底选取 | 第20-23页 |
| 2.2.1 常用衬底介绍 | 第21-23页 |
| 2.2.2 本文采用衬底 | 第23页 |
| 2.3 GaN常用表征 | 第23-27页 |
| 2.3.1 结构表征 | 第23-24页 |
| 2.3.2 光学表征 | 第24-25页 |
| 2.3.3 形貌测试 | 第25-27页 |
| 第三章 高质量厚层GaN单晶生长工艺研究 | 第27-43页 |
| 3.1 掩膜法GaN生长工艺研究 | 第27-32页 |
| 3.1.1 点状掩膜图形工艺 | 第27-29页 |
| 3.1.2 条状掩膜图形工艺 | 第29-30页 |
| 3.1.3 晶片质量分析 | 第30-32页 |
| 3.2 生长厚层GaN基片工艺研究 | 第32-38页 |
| 3.2.1 V/III对结晶质量的影响 | 第33-36页 |
| 3.2.2 生长温度对晶体质量的影响 | 第36-38页 |
| 3.3 生长厚层GaN基片完整性保持研究 | 第38-42页 |
| 3.3.1 GaN生长过程流场优化研究 | 第38-41页 |
| 3.3.2 降温速率对晶体完整性影响 | 第41-42页 |
| 3.4 本章小结 | 第42-43页 |
| 第四章 降低生长GaN单晶层弯曲度研究 | 第43-50页 |
| 4.1 弯曲度理论分析与计算 | 第43-45页 |
| 4.1.1 弯曲的起因 | 第43-44页 |
| 4.1.2 弯曲度的计算 | 第44-45页 |
| 4.2 降低GaN单晶层弯曲工艺研究 | 第45-49页 |
| 4.2.1 载气调节对降低单晶弯曲影响 | 第45-47页 |
| 4.2.2 压力调节对降低单晶弯曲影响 | 第47-49页 |
| 4.3 本章小结 | 第49-50页 |
| 第五章 衬底分离技术研究 | 第50-57页 |
| 5.1 激光剥离技术研究 | 第50-53页 |
| 5.1.1 激光输出能量 | 第50-51页 |
| 5.1.2 光斑面积大小 | 第51页 |
| 5.1.3 光斑重合度的影响 | 第51-52页 |
| 5.1.4 GaN片质量和缓冲层的影响 | 第52-53页 |
| 5.2 自剥离技术介绍 | 第53-55页 |
| 5.2.1 自剥离工艺过程介绍 | 第53-55页 |
| 5.2.2 实现自剥离的边缘保护方法 | 第55页 |
| 5.3 本章小结 | 第55-57页 |
| 第六章 总结及展望 | 第57-59页 |
| 6.1 总结 | 第57页 |
| 6.2 展望 | 第57-59页 |
| 参考文献 | 第59-63页 |
| 致谢 | 第63-64页 |
